[发明专利]一种升压转换电路的预升压电路有效

专利信息
申请号: 202110583395.2 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113300600B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 曾衍瀚;吴添贤;林奕涵;陈伟坚;杨敬慈;李志贤 申请(专利权)人: 广州大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/36;H02M1/08;H02M1/088
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黎扬鹏
地址: 510006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 升压 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种升压转换电路的预升压电路,其特征在于,包括一阶冷启动电路模块、二阶冷启动电路模块、一阶电压感应模块和二阶电压感应模块;

所述一阶电压感应模块用于设定第一阈值电压;

所述二阶电压感应模块用于设定第二阈值电压;

所述一阶冷启动电路模块用于将低压直流信号转换为交流控制信号,所述交流控制信号用于控制电压进行一阶预升压至所述第一阈值电压;

所述二阶冷启动电路模块用于输出第一控制信号,所述第一控制信号和所述交流控制信号联合控制电压进行二阶预升压至所述第二阈值电压,以驱动升压转换电路正常启动;

所述预升压电路还包括电源电压、第一电阻、第一电感、第一电容、第二电容、第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;

所述电源电压的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述电源电压的第二端与所述第一电容的第一端连接并接地,所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第二端连接,所述一阶冷启动电路模块的第一端与所述第一电感的第一端连接并共同与所述第一电阻的第二端连接,所述一阶冷启动电路模块的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的漏极与所述第一电感的第二端连接并共同与所述第二NMOS管的漏极连接;所述第一NMOS管的源极接地;所述第二NMOS管的栅极与所述二阶冷启动电路模块的第一端连接,所述第二NMOS管的源极与所述第二电容的第一端连接并共同接地,所述第一PMOS管的漏极与所述第一电感的第二端连接,所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的源极连接并共同与所述第二电容的第二端连接,所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的源极连接并共同与所述二阶冷启动电路模块的第二端连接,所述一阶电压感应模块和所述二阶电压感应模块并联于所述二阶冷启动电路模块的第二端;

所述二阶冷启动电路模块包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四电容、第二开关、第三开关、缓冲器、延时电路单元和窄脉冲电路单元;

所述第五PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极连接,所述第五PMOS管的漏极通过基准电流后接地,所述第五PMOS管的源极与所述第二开关的第一端连接,所述第五PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极连接,所述第六PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接,所述第六PMOS管的漏极通过所述第四电容后接地;所述第六PMOS管的漏极与所述第三开关的第一端连接,所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极均与所述第二开关的第二端连接,所述第七PMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接,所述第七PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接后共同与所述第八PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极连接,所述第四NMOS的源极和所述第五NMOS管的源极均与所述第三开关的第二端连接并接地,所述第五NMOS管的漏极与所述第八PMOS管的漏极连接后共同接入第一端点,所述缓冲器的第一端、所述延时电路单元的第一端和所述窄脉冲电路单元的第一端均与所述第一端点连接,所述缓冲器的第二端输出所述第一控制信号,所述延时电路单元的第二端与所述窄脉冲电路单元的第二端连接,所述窄脉冲电路单元的第三端输出控制信号以控制所述第三开关。

2.根据权利要求1所述的一种升压转换电路的预升压电路,其特征在于,所述一阶电压感应模块还用于输出第一跳变信号,所述二阶电压感应模块还用于输出第二跳变信号;

所述一阶冷启动电路模块检测到所述第二跳变信号时闭合;

所述二阶冷启动电路模块检测到所述第一跳变信号时开启,检测到所述第二跳变信号时闭合。

3.根据权利要求1所述的一种升压转换电路的预升压电路,其特征在于,所述预升压电路还包括控制模块;

所述一阶电压感应模块的第一信号输出端与所述一阶冷启动电路模块的第一信号输入端连接;

所述一阶电压感应模块的第一信号输出端与所述二阶电压感应模块的第二信号输出端均与所述控制模块的第一端连接,所述控制模块的第二端与所述二阶冷启动电路模块的第二信号输入端连接。

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