[发明专利]一种用于高阶工作模式的介质加载回旋行波管高频结构有效
申请号: | 202110584235.X | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113345780B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 王丽;蒋豪;任茂仁;罗攀达 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J23/36 | 分类号: | H01J23/36;H01J23/38 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 陈一鑫 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 工作 模式 介质 加载 回旋 行波 高频 结构 | ||
1.一种用于高阶工作模式的介质加载回旋行波管高频结构,该结构包括依次连接的:预群聚段、线性放大段、非线性放大段、输出渐变段;其特征在于:
所述预群聚段为金属圆波导;
所述线性放大段为内壁间隔镶嵌有环形有耗介质的金属圆波导,且镶嵌的环形有耗介质为非周期分布;
所述非线性放大段为金属圆波导;
所述输出渐变段为金属圆波导且内径线性增大;
所述回旋行波管高频结构应用于210-224 GHz频段,高阶模式为TE32;预群聚段、线性放大段、非线性放大段的内径为1.85mm,外径为2.5mm;输出渐变段的内径由1.85 mm线性渐变到1.88 mm,外径为2.5;预群聚段、线性放大段、非线性放大段、输出渐变段的长度依次为3mm,114mm,3mm,17mm;所述环形有耗介质为介电常数12(1-0.12j)的陶瓷,厚度为0.4mm;所述线性放大段中设置有五段环形有耗介质,第一到第五段的长度依次为21mm,21mm,16mm,30mm,18mm,相邻段之间间隔为2mm。
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