[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面；

位于所述衬底内的若干连接层，所述衬底第一面暴露出连接层表面，所述连接层在衬底第一面的投影为长方形，所述长方形具有相互垂直的第一边和第二边，且第一边大于第二边，相邻连接层之间在平行于所述第一边方向上具有第一间距，相邻连接层之间在平行于所述第二边方向上具有第二间距，所述第一间距小于第二间距，且所述第一间距小于第一边的尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括若干芯片区，若干所述连接层在芯片区内呈阵列分布。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间距的尺寸与所述第一边的尺寸相等，所述第一间距的尺寸与所述第二边的尺寸相等。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一边和第二边的长度比例为7:3。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底内的器件层，所述器件层包括隔离结构和位于隔离结构内的器件结构，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感和导电结构中的一种或多种；所述连接层位于器件层上，且所述连接层与所述器件结构电连接。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述连接层的材料包括金属，所述金属包括铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内具有若干第一连接层，所述第一衬底第一面暴露出第一连接层表面，所述第一连接层在第一衬底第一面的投影为长方形，所述长方形具有相互垂直的第一边和第二边，且第一边大于第二边，相邻第一连接层之间在平行于所述第一边方向上具有第一间距，相邻第一连接层之间在平行于所述第二边方向上具有第二间距，所述第一间距小于第二间距，且所述第一间距小于第一边的尺寸；

与所述第一衬底键合的第二衬底，所述第二衬底具有相对的第三面和第四面，所述第二衬底第三面和第一衬底第一面键合，所述第二衬底内具有若干第二连接层，所述第二衬底第三面暴露出第二连接层表面，所述第二连接层在第二衬底表面的投影为长方形，所述长方形具有相互垂直的第三边和第四边，且第三边大于第四边，若干所述第一连接层和若干所述第二连接层一一对应，对应的第一连接层表面和第二连接层表面重合，且所述第一边与第三边垂直，相邻第二连接层之间在平行于所述第三边方向上具有第三间距，相邻第二连接层之间在平行于所述第四边方向上具有第四间距，所述第三间距小于第四间距，且所述第三间距小于第三边的尺寸。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，每个第一连接层表面与一个第二连接层表面重合形成重合区域，且若干重合区域的面积相同。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一边和第三边的长度相同，所述第二边和第四边的长度相同。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底包括若干第一芯片区，若干所述第一连接层在第一芯片区内呈阵列分布。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间距的尺寸与所述第一边的尺寸相等，所述第一间距的尺寸与所述第二边的尺寸相等。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二衬底包括若干第二芯片区，若干所述第二连接层在第二芯片区内呈阵列分布。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第三间距的尺寸与第四边的尺寸相等，所述第四间距与第三边的尺寸相等。