[发明专利]低应力MEMS封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种低应力MEMS封装结构，其特征在于：包括平面载体(1)、芯片(2)、封装盖(3)和保护膜(4)，所述芯片(2)固定设置于所述平面载体(1)的一表面上，且所述芯片(2)上的电极与所述平面载体(1)上的引脚键合连接；所述封装盖(3)罩设于所述芯片(2)外、并同时与所述平面载体(1)的一表面固定连接，且所述封装盖(3)与所述平面载体(1)一表面一起合围成的腔室还形成为真空状态；所述保护膜(4)密封包裹于所述封装盖(3)外，以确保该腔室保持真空状态。

2.根据权利要求1所述的低应力MEMS封装结构，其特征在于：所述封装盖(3)为由金属材料制成的中空罩盖结构，所述中空罩盖结构的顶部封闭、底部开口，并在所述中空罩盖结构的侧立壁上开设有小孔(30)；

当所述中空罩盖结构罩设于所述芯片(2)外后，所述中空罩盖结构的底开口通过锡膏与所述平面载体(1)的一表面固定连接；并且当对该腔室抽真空时，该腔室内的空气经所述小孔(30)排出。

3.根据权利要求2所述的低应力MEMS封装结构，其特征在于：在所述中空罩盖结构的相对两侧立壁上对称开设有两个所述小孔(30)。

4.根据权利要求1所述的低应力MEMS封装结构，其特征在于：所述芯片(2)通过装片胶粘接固定于所述平面载体(1)的一表面上，并利用金丝球焊工艺将所述芯片(2)上的电极与所述平面载体(1)上的引脚键合连接；

所述保护膜(4)采用耐高温环氧膜，其通过真空覆膜技术及高温压膜固化技术密封包裹于所述封装盖(3)外。

5.一种低应力MEMS封装结构的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1)、提供一平面载体(1)，在所述平面载体(1)的一表面上阵列固设有若干芯片(2)，并通过金丝球焊工艺将若干所述芯片(2)上的电极对应与所述平面载体(1)上的引脚键合连接；

S2)、提供若干个封装盖(3)，并在每一所述封装盖(3)的侧立壁上均开设有小孔(30)；

S3)、将若干所述封装盖(3)分别对应的罩设于若干所述芯片(2)外，同时若干所述封装盖(3)的底开口均分别与所述平面载体(1)的一表面固定连接；此时得到雏形品；

S4)、提供一保护膜(4)，将所述保护膜(4)覆盖在若干所述封装盖(3)背向所述平面载体(1)的顶侧上后；再将覆盖有所述保护膜(4)的所述雏形品放置入真空覆膜机中进行低温压膜处理，以实现若干所述封装盖(3)分别与所述平面载体(1)一表面一起合围成的腔室均形成为真空状态的同时，所述保护膜(4)还能够将由若干所述封装盖(3)构成的封装盖阵列组整体密封包裹住；此时得到中间品；

S5)、将所得中间品放置入烘箱中进行高温压膜固化处理，以实现在确保若干所述腔室均保持真空状态的同时，所述保护膜(4)能够将每一所述封装盖(3)都完全密封包裹住；待所述高温压膜固化处理完成后，冷却得到半成品；

S6)、对所得半成品进行切割，得到若干呈独立单颗状态的低应力MEMS封装结构。

6.根据权利要求5所述的低应力MEMS封装结构的封装方法，其特征在于：所述封装盖(3)为由金属材料制成的中空罩盖结构，所述中空罩盖结构的顶部封闭、底部开口，并在所述中空罩盖结构的相对两侧立壁上对称开设有两个所述小孔(30)。

7.根据权利要求5所述的低应力MEMS封装结构的封装方法，其特征在于：在进行上述S3)时，先按照若干所述芯片(2)的阵列布局形式在所述平面载体(1)的一表面上涂覆锡膏，然后再将若干所述封装盖(3)分别对应的罩设于若干所述芯片(2)外，紧接着再加热使锡膏固化，即可实现若干所述封装盖(3)的底开口均与所述平面载体(1)的一表面固定连接。

8.根据权利要求5所述的低应力MEMS封装结构的封装方法，其特征在于：上述S4)中，所述真空覆膜机进行低温压膜处理的工作参数为：工作温度40～60℃，施加于所述保护膜(4)上的压力为0.5～2Kg/cm²。