[发明专利]集成电路装置及其制造方法在审
申请号: | 202110585422.X | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113517202A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 欧宪勋;林佳德;程晓玲 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请实施例涉及一种集成电路装置及其制造方法。根据本申请的一些实施例,一种用于制造集成电路装置的方法,其包括以下步骤:在基板的第一表面上以第一图案形成第一阻焊层,并在该基板的第二表面上以不同于该第一图案的第二图案形成第二阻焊层,其中该第一表面与该第二表面相对;在该第一阻焊层的远离基板的表面上以该第一图案形成第三阻焊层;其中该第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积,且该第二阻焊层具有大于该第一图案面积的第二图案面积。该制造方法及其制成的集成电路装置的优势之一在于能够通过控制集成电路装置基板的正背两面的绿漆厚度,从而有效防止集成电路装置基板的翘曲,从而降低了后续的作业难度,并大大提高了产品产量。
技术领域
本申请实施例涉及半导体封装领域,特别是涉及的集成电路装置及其制造方法。
背景技术
在半导体封装领域中,集成电路产品的正背表面通常都覆盖阻焊层,例如绿漆。在现有的绿漆涂覆方式中,通常采用一次绿漆作业方式进行涂覆。当集成电路产品的正背两面所覆盖的绿漆的面积相差不大(例如,小于10%)时,该绿漆的覆盖不会使得这样的集成电路产品存在翘曲的风险。
然而,随着集成电路基板产品技术的不断改进与发展,当基于特定的技术需求时,例如,TFBGA(Thin Fine-Pitch Ball Grid Array,光栅阵列封装)产品的正背两面覆盖的绿漆的面积相差较大,例如,10%以上,甚至20%以上。此时,由于采用一次绿漆作业方式涂覆绿漆,集成电路基板会存在严重的翘曲,从而导致后制程作业时会出现严重卡板,增加现场作业难度,同时会降低产品产量。
因此,业内亟需新的绿漆作业方式以解决以上集成电路基板产品翘曲的问题。
发明内容
本申请实施例的目的之一在于提供一种集成电路装置及其制造方法,该集成电路装置及其制造方法的优势之一在于能够通过控制集成电路基板产品的正背两面的绿漆厚度,从而有效防止集成电路基板产品的翘曲。
根据本申请的一些实施例的制造集成电路装置的方法,该方法包括以下步骤:在基板的第一表面上以第一图案形成第一阻焊层,并在该基板的第二表面上以不同于该第一图案的第二图案形成第二阻焊层,其中该第一表面与该第二表面相对;在该第一阻焊层的远离基板的表面上以该第一图案形成第三阻焊层;其中该第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积,且该第二阻焊层具有大于该第一图案面积的第二图案面积。
在本申请的一实施例中,该方法中形成该第一阻焊层和该第二阻焊层的步骤进一步包括:在该基板的该第一表面上涂覆第一阻焊材料层,并在该第二表面上涂覆第二阻焊材料层;并且以该第一图案对该第一阻焊材料层进行曝光并以该第二图案对该第二阻焊材料层进行曝光。
在本申请的一实施例中,该方法中形成该第三阻焊层的步骤进一步包括:在该第一阻焊层的远离基板的表面上涂覆第三阻焊材料层;及以该第一图案对该第三阻焊材料层进行曝光。
在本申请的一实施例中,该方法进一步包括:在形成该第三阻焊层的同时,在该第二阻焊层的远离基板的表面上涂覆第四阻焊材料层,并在对该第四阻焊材料层进行曝光以移除该第四阻焊材料层。
在本申请的一实施例中,其中该第一阻焊层、该第二阻焊层、该第三阻焊层采用相同的高分子感光阻焊材料。
在本申请的一实施例中,其中该第一阻焊层的厚度与该第三阻焊层的厚度的总和实质上大于该第二阻焊层的厚度。
在本申请的一实施例中,其中该第一阻焊层的厚度与该第三阻焊层的厚度的该总和的范围为25-40μm。
在本申请的一实施例中,其中该第二阻焊层的厚度范围为15-25μm。
在本申请的一实施例中,其中该第二图案面积比该第一图案面积大20%。
在本申请的一实施例中,其中该第一阻焊层与第三阻焊层的体积之和与该第二阻焊层的体积大致相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体(上海)有限公司,未经日月光半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110585422.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造