[发明专利]一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层，所述剥离保护层从下而上依次包括周期性Al/AlGaN结构，所述周期性Al/AlGaN结构中每组Al/AlGaN结构包括岛状的Al层以及填平所述Al层的AlGaN层，所述Al层的厚度范围为10-20nm，所述AlGaN层的厚度范围为10-20nm。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述周期性Al/AlGaN结构的总厚度的范围为1.6-2μm。

3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述周期性Al/AlGaN结构的总厚度为1.8μm。

4.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一UGaN层的厚度范围为1-3μm。

5.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一缓冲层为AlN层、GaN层或AlGaN层的其中一层或者其中至少两层的堆叠层结构，所述第二缓冲层为AlN层、GaN层或AlGaN层的其中一层或者其中至少两层的堆叠层结构。

6.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底为平片衬底或者图形化衬底。

7.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的LED外延结构、N电极和P电极，所述N电极与所述剥离保护层欧姆接触连接，所述P电极与所述P型GaN层欧姆接触连接。

8.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括

步骤S1：于衬底生长第一缓冲层及第一UGaN层；

步骤S2：于第一UGaN层生长剥离保护层；

步骤S3：于剥离保护层上依次生长第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层；

于步骤S2中，所述剥离保护层从下而上依次包括周期性Al/AlGaN结构，步骤S2具体包括

步骤S21：在900～1000℃的生长条件下，于第一UGaN层上生长Al，Al的厚度范围为10-20nm；

步骤S22：在800～900℃的生长条件下，于Al晶种上生长AlGaN填平，AlGaN层的厚度范围为10-20nm；

重复步骤S21、步骤S22，至所述剥离保护层的总厚道达到预设厚度，所述预设厚度的范围为1.6-2μm。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为1.8μm。