[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

在此公开的涉及一种存储器系统和一种操作该存储器系统的方法。在一个方面，单独设置第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元的电阻。在一个方面，第一存储器单元和第二存储器单元在第一线和第二线之间彼此串联耦合，第三存储器单元和第四存储器单元在第二线和第三线之间彼此串联耦合。在一个方面，根据以下的并联电阻来感测通过第二线的电流：i)第一存储器单元和第二存储器单元的串联电阻，以及ii)第三存储器单元和第四存储器单元的串联电阻。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器系统及其操作方法。

背景技术

电子器件(例如计算机、便携式器件、智能电话、物联网(IoT)器件等)的发展促使人们对存储器器件的需求增加。通常，存储器器件可以是易失性存储器器件和非易失性存储器器件。易失性存储器器件可以在通电时存储数据，但是一旦断电可能会丢失存储的数据。与易失性存储器器件不同，非易失性存储器器件即使在电源关闭后也可以保留数据，但是可能比易失性存储器器件慢。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种存储器系统，包括：存储器单元组，包括：第一存储器单元和第二存储器单元，在第一线和第二线之间串联耦合，和第三存储器单元和第四存储器单元，在第二线和第三线之间串联耦合；以及存储器控制器，耦合到存储器单元组，其中，存储器控制器用于：电解耦第一线和第三线以单独对存储器单元组进行编程，和通过根据单独编程的存储器单元感测通过第二线的电流，将第一线和第三线电耦合以读取由存储器单元组存储的多级数据。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种操作存储器系统的方法，包括：单独设置第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元的电阻，其中，第一存储器单元和第二存储器单元在第一线和第二线之间串联耦合，并且其中，第三存储器单元和第四存储器单元在第二线和第三线之间串联耦合。根据以下的并联电阻来感测通过第二线的电流：i)第一存储器单元和第二存储器单元的第一串联电阻，以及ii)第三存储器单元和第四存储器单元的第二串联电阻；和根据感测到的电流，确定第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元存储的多级数据。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种存储器系统，包括：存储器单元组，包括：第一存储器单元和第二存储器单元，在第一线和第二线之间串联耦合，和第三存储器单元和第四存储器单元，在第二线和第三线之间串联耦合，其中，第一存储器单元和第三存储器单元耦合到第一字线，其中，第二存储器单元和第四存储器单元存储器单元耦合到第二字线；以及存储器控制器，耦合到存储器单元组，其中，存储器控制器用于：在第一时间期间向第一字线施加第一脉冲以对第一存储器单元和第三存储器单元进行编程，和在第二时间期间向第二字线施加第二脉冲以对第三存储器单元和第四存储器单元进行编程，和根据编程的存储器单元，在第三时间周期期间将第三脉冲施加到第一字线和第二字线以感测通过第二线的电流。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一个实施例的存储器系统的图。

图2是根据一个实施例的被配置为用作多级单元的多个存储器单元的图。

图3A是示出根据一个实施例的施加到单独编程的存储器单元的电压的图。

图3B是示出根据一个实施例的施加到单独编程的存储器单元的电压的图。

图4A是示出根据一个实施例的被施加以在存储器单元处写入第一逻辑状态的电压的图。

图4B是示出了根据一个实施例的被施加以在存储器单元处写入第二逻辑状态的电压的图。

图5是示出根据一个实施例的读取由图2的多个存储器单元存储的多级数据的配置的图。