[发明专利]用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构

说明书

本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。

本申请是申请日为2018年12月7日，国际申请号为PCT/US2018/064371、申请号为201880088197.5、发明名称为“用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构”的申请的分案申请。

背景技术

优先权要求

本专利申请要求于2018年2月1日提交的题为“A NOVEL STANDARD CELLARCHITECTURE FOR GATE TIE-OFF(用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构)”的申请No.15/886,611的优先权，该申请被转让给本申请受让人并由此通过援引明确纳入于此。

领域

本公开的诸方面一般涉及隔离结构，并且尤其涉及栅极绑定关断结构。

背景

半导体芯片(管芯)可包括大量的晶体管以及用于在芯片上的各晶体管之间提供电隔离的隔离结构。此类隔离结构的示例是栅极绑定关断结构，其中虚设栅极被电耦合(绑定)至源极。

概述

以下给出对一个或多个实施例的简化概述以提供对此类实施例的基本理解。此概述不是所有构想到的实施例的详尽综览，并且既非旨在标识所有实施例的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个实施例的一些概念以作为稍后给出的更加具体的说明之序。

第一方面涉及一种芯片。该芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。

第二方面涉及一种芯片。该芯片包括：第一栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的第一金属互连、将第一栅极电耦合至第一金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至第一金属互连的第一通孔。该芯片还包括：第二栅极、第二源极、设置在第二源极上的第二源极触点、在第二源极触点和第二栅极上方的第二金属互连、将第二栅极电耦合至第二金属互连的第二栅极触点、以及将第二源极触点电耦合至第二金属互连的第二通孔。第一金属互连和第二金属互连中的每一者均沿第一横向方向延伸，第一金属互连在第二横向方向上与第二金属互连对准，并且第一横向方向大致垂直于第二横向方向。

为了实现前述以及相关目的，一个或多个实施例包括随后完整描述的以及在权利要求书中具体指出的特征。以下说明和所附插图详细阐述了这一个或多个实施例的某些解说性方面。但是，这些方面仅仅是指示了可采用各个实施例的原理的各种方式中的若干种，并且所描述的实施例旨在涵盖所有此类方面及其等效方案。

附图简述

图1示出了根据本公开的某些方面的栅极绑定关断结构的示例。

图2A示出了根据本公开的某些方面的两个单元的源极至源极邻接的示例。

图2B示出了根据本公开的某些方面的两个单元的源极至漏极邻接的示例。

图2C示出了根据本公开的某些方面的两个单元的漏极至漏极邻接的示例。

图3A示出了根据本公开的某些方面的包括金属互连的示例性栅极绑定关断结构的俯视图。