[发明专利]RTS噪声抑制装置及图像传感器有效

专利信息
申请号: 202110587102.8 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113301277B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 张琦 申请(专利权)人: 锐芯微电子股份有限公司
主分类号: H04N5/357 分类号: H04N5/357;H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张凤伟;吴敏
地址: 215301 江苏省苏州市昆山市开发*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: rts 噪声 抑制 装置 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种RTS噪声抑制装置,其特征在于,包括:RTS噪声识别单元及控制单元;其中:

所述RTS噪声识别单元,与像素结构的输出端连接,基于所述像素结构当前输出信号的幅度值,识别所述像素结构在读出过程中是否发生RTS噪声,并输出识别结果信号;

所述控制单元,与所述RTS噪声识别单元及所述像素结构的读出量化电路连接,适于当所述像素结构在读出过程中发生RTS噪声,对所述像素结构的量化结果进行替换,以获得所述像素结构处理后的图像数据。

2.如权利要求1所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述RTS噪声识别单元,包括:至少一个比较电路;其中:

所述比较电路,与所述像素结构的输出端连接,适于在获得所述像素结构的输出信号时,基于所述输出信号的幅度值,识别所述像素结构在读出过程中是否发生RTS噪声,并输出识别结果信号。

3.如权利要求2所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述比较电路,适于获取像素结构于第一复位过程中输出的第一复位信号,以及获取所述像素结构于第二复位过程中输出的第二复位信号,并基于所述第一复位信号及所述第二复位信号之间的电压差,判断所述像素结构在读出过程中是否发生RTS噪声。

4.如权利要求2所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述比较电路,适于获取所述像素结构输出的第三复位信号,以及获取所述像素结构输出的第一曝光信号,并基于所述第三复位信号及所述第一曝光信号中的至少一个,判断所述像素结构在读出过程中是否发生RTS噪声;

其中,当第一复位过程早于第一曝光过程时,所述第三复位信号为第一复位过程结束后且第一曝光过程开始前输出的复位信号,所述第一曝光信号为所述第一曝光过程结束后且所述像素结构数据读出结束前输出的曝光信号;

当第一复位过程晚于第一曝光过程时,所述第三复位信号为第一复位过程结束后且所述像素结构数据读出结束前输出的复位信号,所述第一曝光信号为所述第一曝光过程结束后且所述第一复位过程开始前输出的曝光信号。

5.如权利要求2所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述RTS噪声识别单元中,所述比较电路的数量,与所述像素结构输出电压的离散状态数量相关。

6.如权利要求3或4所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述比较电路包括:第一电容、比较器及第一开关;其中:

所述比较器,具有第一输入端及第二输入端,所述第一输入端通过所述第一电容与所述第一开关连接;所述第二输入端适于输入参考电压;

所述第一开关,连接于所述比较器的第一输入端及输出端之间,适于在第一开关控制信号的控制下,对所述比较器执行复位操作。

7.如权利要求3或4所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,当所述RTS噪声识别单元包括两个以上所述比较电路时,所述RTS噪声识别单元还包括:

逻辑运算电路,与所述两个以上比较电路的输出端连接,适于在所述两个以上比较电路中任意一个识别出RTS噪声时,对所述两个以上比较电路的输出进行逻辑运算,产生所述识别结果信号。

8.如权利要求7所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述逻辑运算电路包括:反相器及与所述反相器连接的或非门电路;其中:

所述反相器,一端与所述RTS噪声识别单元中一个所述比较电路的输出端连接,另一端与所述或非门电路的输入端连接;

所述或非门电路的另一输入端,与所述RTS噪声识别单元中另一所述比较电路连接;

所述或非门电路的输出端输出所述识别结果信号。

9.如权利要求1所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述RTS噪声识别单元还包括:锁存器,适于锁存所述识别结果信号。

10.如权利要求1所述的RTS噪声抑制装置,其特征在于,所述控制单元适于当所述像素结构在读出过程中发生RTS噪声时,基于所述像素结构周围预设像素结构的量化结果,替换所述像素结构的量化结果。

11.一种图像传感器,其特征在于,包括像素阵列及权利要求1至10任一项所述的RTS噪声抑制装置,其中:

所述像素阵列中同一列的像素结构共用同一所述RTS噪声识别单元,所述控制单元与像素阵列中各列像素结构对应的所述RTS噪声识别单元连接。

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