[发明专利]超级结器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超级结器件，包括：

多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，所述多个第一导电类型柱和所述多个第二导电类型柱交替布置，

其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面，并且

其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结为陡结。

2.根据权利要求1所述的超级结器件，其中所述多个第一导电类型柱或所述多个第二导电类型柱布置在深沟槽中。

3.根据权利要求1所述的超级结器件，还包括：

沟槽栅极结构，形成在所述多个第一导电类型柱或所述多个第二导电类型柱中。

4.根据权利要求2所述的超级结器件，还包括：

沟槽栅极结构，形成在所述多个第一导电类型柱或所述多个第二导电类型柱中，所述沟槽栅极结构包括栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度小于所述深沟槽结构的深度。

5.一种超级结器件，包括：

多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，所述多个第一导电类型柱和所述多个第二导电类型柱在一方向上交替布置，

其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面，并且

其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结的宽度小于0.4微米，其中，所述PN结的宽度由在所述方向上所述第一导电类型柱中的掺杂浓度降低到所述第一导电类型柱的中心处的掺杂浓度的一半的位置与所述第二导电类型柱中的掺杂浓度降低到所述第一导电类型柱的中心处的掺杂浓度的一半的位置之间的距离来定义。

6.根据权利要求5所述的超级结器件，其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结的宽度小于0.2微米。

7.根据权利要求5所述的超级结器件，其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结的宽度小于0.1微米。

8.根据权利要求5所述的超级结器件，其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结的宽度小于0.05微米。

9.根据权利要求5-8中任一项所述的超级结器件，其中所述多个第一导电类型柱或所述多个第二导电类型柱布置在深沟槽中。

10.根据权利要求9所述的超级结器件，还包括：

沟槽栅极结构，形成在所述多个第一导电类型柱或所述多个第二导电类型柱中，所述沟槽栅极结构包括栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度小于所述深沟槽结构的深度。

11.一种用于制造超级结器件的方法，包括：

在具有第一导电类型的半导体层中形成沟槽栅极结构；

在形成所述沟槽栅极结构之后，在所述半导体层中形成超级结沟槽；以及

在所述超级结沟槽中填充第二导电类型的半导体材料，以形成第二导电类型柱，其中所述第二导电类型柱之间的所述半导体层形成第一导电类型柱，所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替布置，以形成超级结。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述沟槽栅极结构包括：

在所述半导体层上定义栅极沟槽的区域；

在定义所述栅极沟槽的区域中形成所述栅极沟槽；

在所述栅极沟槽的侧面形成栅氧化层，在所述栅极沟槽的底部表面形成底部氧化层；

填充所述栅极沟槽，以形成所述栅极沟槽结构；以及

对所述栅极沟槽结构进行平坦化。