[发明专利]一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法有效
申请号: | 202110588137.3 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113382544B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 于中尧;方志丹;杨芳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 abf 膜片 进行 内层 基板通孔塞孔 方法 | ||
1.一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法,其特征在于,内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后,包括:
对所述第一增层线路板进行真空烘烤得到第二增层线路板;
对所述第二增层线路板进行第二真空压膜处理及第二整平处理;
所述真空烘烤包括将所述第一增层线路板置于第三温度下恒温抽至第三真空度,保持第三真空时间,其中,所述第三温度为90℃-120℃,所述第三真空时间为5-60min,所述第三真空度优于10pa。
2.根据权利要求1所述的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法,其特征在于,所述第二真空压膜处理包括在第四温度下保持真空达到第四真空时间,在第四压力下保持第四压合时间,压合第一ABF增层膜片与内层基板。
3.根据权利要求1所述的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法,其特征在于,所述第二真空压膜处理及第二整平处理后,包括预固化,其中,所述预固化包括对所述第二增层线路板进行烘烤,第一阶段于第六温度下烘烤第六时间,第二阶段于第七温度下烘烤第七时间。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法,其特征在于,所述第一真空压膜处理及第一整平处理之前包括在第八温度下烘烤所述内层基板,所述烘烤持续第八时间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110588137.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。