[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成一凹槽在一基板上，所述凹槽具有一侧表面与一底表面；

形成一第一介电层于所述凹槽的所述侧表面与所述底表面、以及所述基板上，以使所述第一介电层具有一沟槽；

填充一第一导电材料于所述沟槽中；

回蚀所述第一导电材料，以形成一第一导电层并暴露位于所述凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的一部分；

刻蚀所述第一介电层，使得位于所述凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的所述部分具有沿着远离所述凹槽的所述底表面的方向变小的宽度；及

填充一第二导电材料于所述沟槽中，以形成在所述第一导电层上的一第二导电层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一介电层的步骤包括：

刻蚀在所述凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的一部分、以及在所述基板的顶表面上的所述第一介电层。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一介电层的步骤包括：

使用所述第一导电层作为刻蚀掩模，并通过湿式刻蚀工艺刻蚀所述第一介电层。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在填充所述第二导电材料于所述沟槽的步骤中还包括：

平坦化所述第二导电材料，使所述第二导电材料的顶表面与所述第一介电层的顶表面共平面。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

移除所述第二导电层的一部分，使得所述第二导电层的顶表面平行或低于所述基板的顶表面，并留下一导电结构；

移除所述第一介电层的一部分，使得所述第一介电层的顶表面低于所述导电结构的顶表面；

形成一第二介电层于所述第二导电层上；及

形成一第三导电层于所述第二介电层上。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述导电结构包括所述第一导电层与剩余的所述第二导电层。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一层间介电层于所述第三导电层上；

形成一第一掺杂区于所述基板；

形成一第二掺杂区于所述基板，且所述第二掺杂区相较于所述第一掺杂区更远离所述层间介电层；

形成一接触通孔，所述接触通孔暴露所述第三导电层的一部分；

填充一通孔材料于所述接触通孔中，以形成一接触插塞；及

形成一金属层于所述层间介电层上，以使所述金属层与所述接触插塞彼此接触。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一凹槽，所述凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽；

一第一介电层，设置于所述第一凹槽的一侧表面及一底表面上、及所述第二凹槽的一侧表面及一底表面上，且具有对应于所述第一凹槽的一第一沟槽、及对应于所述第二凹槽的一第二沟槽；

一屏蔽电极，设置于所述第一沟槽中；

一第二介电层，设置于所述第一沟槽中且于所述屏蔽电极上；

一栅极电极，设置于所述第一沟槽中且于所述第二介电层上；及

一源极电极，设置于所述第二沟槽中；

其中，位于所述第二凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的一部分具有沿着远离所述第二凹槽的所述底表面的方向变小的宽度。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述源极电极的一部分的形状对应于所述第二凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的所述部分的形状。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述源极电极的顶表面的宽度大于底表面的宽度。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极电极具有朝向所述屏蔽电极延伸的延伸部。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一层间介电层，设置于所述栅极电极及所述源极电极上；

一第一掺杂区，设置于所述基板上；

一第二掺杂区，设置于所述基板上且相较于所述第一掺杂区更远离所述层间介电层；

一栅极插塞，贯穿所述层间介电层，且与所述栅极电极接触；及

一源极插塞，贯穿所述层间介电层，且与所述源极电极接触。