[发明专利]一种神经元电路

权利要求书

1.一种神经元电路，其特征在于，包括：

触发单元和振荡单元；

所述振荡单元包括第一忆阻器和第二忆阻器；所述第一忆阻器的一端与所述第二忆阻器的一端相连，以作为所述神经元电路的输出端；所述第一忆阻器的另一端与所述触发单元的输出端连接，所述第二忆阻器的另一端接地；

其中，所述第一忆阻器用于调节所述神经元电路的阈值；当输入所述触发单元的输入信号大于等于第一阈值时，所述神经元电路开始振荡，当输入所述触发单元的输入信号小于所述第一阈值时，所述神经元电路停止振荡；当经过连续振荡后，所述第一忆阻器的电阻值升高，以使所述第一阈值升高，当振荡停止后，所述第一忆阻器的电阻值逐渐减小，所述第一阈值逐渐回落，以实现动态阈值神经元。

2.如权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，所述触发单元包括：

第一电阻和第一电容；

所述第一电阻的一端和所述第一电容的一端相连，以作为所述触发单元的输出端，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端作所述触发单元的输入端。

3.如权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，包括：

所述第一忆阻器为非易失性忆阻器；

所述第二忆阻器为易失性阈值转变忆阻器。

4.如权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，所述忆阻器包括：

上电极、中间层及下电极。

5.如权利要求4所述的神经元电路，其特征在于，包括：

所述第一忆阻器中间层材料为非易失阻变且有衰退特性的材料；

所述第二忆阻器中间层的材料为具有易失性阈值转变特性的材料。

6.如权利要求5所述的神经元电路，其特征在于，包括：

所述非易失阻变且有衰退特性的材料包括以下任一种或多种：Ta、Ag、W、Ru及Cu；

所述具有阻变特性且有衰退特性的材料包括以下任一种或多种：WO_x、HfO₂、TiO₂、Al₂O₃、TaOx、PCMO。

7.如权利要求4所述的神经元电路，其特征在于，所述忆阻器下电极的材料为惰性导电材料。

8.如权利要求7所述的神经元电路，其特征在于，所述惰性导电材料包括以下任一种或多种：TiN，Poly-Si，Pd，Pt，W及Au。

9.如权利要求4所述的神经元电路，其特征在于，所述第二忆阻器中间层的材料为具有易失性阈值转变特性的材料。

10.如权利要求9所述的神经元电路，其特征在于，所述具有易失性阈值转变特性的材料包括以下任一种或多种：NbO₂，VO₂，SiTe，SiO₂:Ag，a-Si:Cu，a-Si:Ag。