[发明专利]PERC太阳能电池的背膜结构、制备方法、太阳能电池及组件

权利要求书

1.一种PERC太阳能电池的背膜结构，包括自硅片基底的背面从上到下依次形成的第一氮氧化硅层、氮化硅层、第二氮氧化硅层以及氧化硅层；

所述氮化硅层由至少两层氮化硅膜组成，且各层所述氮化硅膜的折射率自从上至下依次降低。

2.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构，其特征在于，所述第二氮氧化硅层的折射率大于所述氧化硅层的折射率，且所述第二氮氧化硅层的折射率小于所述第二氮氧化硅层相邻所述氮化硅膜的折射率。

3.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构，其特征在于，

所述第一氮氧化硅层的折射率为1.7～2.0；

各层所述氮化硅膜的折射率为2.0～2.4；

所述第二氮氧化硅层的折射率为1.7～2.0；

所述氧化硅层的折射率为1.4～1.6。

4.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构，其特征在于，所述氮化硅层包括从上至下折射率依次降低的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜；所述第一氮化硅膜的折射率为2.25～2.4；所述第二氮化硅膜的折射率为2.1～2.25；所述第三氮化硅膜的折射率为2.0～2.1。

5.根据权利要求4所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构，其特征在于，所述第一氮化硅膜的厚度为5～20nm；所述第二氮化硅膜厚度为15～30nm；所述第三氮化硅膜厚度为15～50nm。

6.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构，其特征在于，

所述第一氮氧化硅层为1～2层，所述第一氮氧化硅层的总厚度为10nm～40nm；

所述第二氮氧化硅层为1～2层，所述第二氮氧化硅层的总厚度为10nm-50nm；

所述氧化硅层为1～2层，所述氧化硅层的总厚度为5nm-30nm。

7.一种PERC太阳能电池的背膜结构的制备方法，其特征在于，其特征在于，所述方法包括：

在硅片基底背面制备第一氮氧化硅层；

在所述第一氮氧化硅层之上依次制备折射率逐渐降低的至少两层氮化硅膜，以形成由至少两层所述氮化硅膜组成的氮化硅层；

在所述氮化硅层之上制备第二氮氧化硅层；

在所述第二氮氧化硅层之上制备氧化硅层。

8.如权利要求7所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构的制备方法，其特征在于，所述在硅片基底背面制备第一氮氧化硅层步骤之前包括：

通过PECVD设备将氨气和笑气电离，利用电离得到的H^-和O^2-对硅片基底背面进行吹扫处理。

9.如权利要求8所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构的制备方法，其特征在于，所述通过PECVD设备将氨气和笑气电离，利用电离得到的H^-和O^2-对硅片基底背面进行吹扫处理的步骤具体包括：

使用PECVD设备，在温度410-480℃，氨气流量2500-4000sccm，笑气流量2000-5000sccm，沉积压力900-1600mTor，射功率3800-5000W，沉积占空比2:30-2:60ms，射频放电120-250s，以利用电离得到的H^-和O^2-对硅片基底背面进行吹扫处理。

10.如权利要求8所述的一种PERC太阳能电池的背膜结构的制备方法，其特征在于，所述通过PECVD设备将氨气和笑气电离，利用电离得到的H^-和O^2-对硅片基底背面进行吹扫处理的步骤之后，且在硅片基底背面制备第一氮氧化硅层的步骤之前，还包括：

通过PECVD设备将笑气电离，利用电离得到的O^2-对硅片基底背面进行吹扫处理。