[发明专利]一种MoS2

权利要求书

1.一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)制备MoS₂纳米管阵列；

2)MoS₂纳米管表面包覆ZnO薄膜；

3)MoS₂/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag₂S量子点；

步骤1)中，所述制备MoS₂纳米管阵列是将ZnO/MoS₂同轴纳米线正面朝上放置在0.2～0.5mol/L的H₂SO₄溶液中浸泡5～10min，刻蚀纳米线中的ZnO，再用去离子水清洗，得到MoS₂纳米管阵列；

所述ZnO/MoS₂同轴纳米线的制备如下：在FTO基片的正面沉积ZnO籽晶层，将样品正面朝下，然后在乙酸锌Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和六次甲基四胺C₆H₁₂N₄的混合水溶液中水热生长ZnO纳米棒，取出清洗后退火，再将长有ZnO纳米棒的样品正面朝下放置，放入装有三氧化钼MoO₃、硫粉、辛胺C₈H₁₉N和无水乙醇的混合溶液的反应釜内衬中，水热生长ZnO/MoS₂同轴纳米线，取出清洗，最后在退火炉中退火；

步骤2)中，所述MoS₂纳米管表面包覆ZnO薄膜是采用ALD方法，在步骤1)所得MoS₂纳米管表面沉积一层ZnO薄膜，并在退火炉中进行退火处理，所述退火处理的条件为氩气环境下250～600℃退火30～120min；

步骤3)中，所述MoS₂/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag₂S量子点采用连续离子层吸附反应法，将步骤2)所得MoS₂/ZnO同轴纳米管正面朝上，按照AgNO₃乙醇溶液、无水乙醇溶液、Na₂S·9H₂O甲醇溶液、无水乙醇溶液的顺序依次浸泡，循环次数根据需求进行调整，得MoS₂/ZnO/Ag₂S纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述ZnO籽晶层为20～50nm，所述Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和C₆H₁₂N₄的混合水溶液浓度均为20mM。

3.如权利要求1所述的一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述水热生长ZnO纳米棒的温度为75～95℃，时间为20～80min；所述ZnO纳米棒退火温度为250～600℃、时间为30～120min。

4.如权利要求1所述的一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述MoO₃和硫粉质量比为2:1，所述C₈H₁₉N和无水乙醇的体积比为5:6。

5.如权利要求1所述的一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述水热生长ZnO/MoS₂同轴纳米线的温度为170～200℃、时间为60～180min；所述ZnO/MoS₂同轴纳米线退火是将样品放入退火炉氩气环境下300～500℃退火30～60min。

6.如权利要求1所述的一种MoS₂/ZnO/Ag₂S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述AgNO₃乙醇溶液、Na₂S·9H₂O甲醇溶液浓度均为0.05～0.30mol/L。