[发明专利]光检测设备和电子装置

说明书

本发明涉及光检测设备和电子装置。其中，所述光检测设备可包括：像素，所述像素包括正极区域和负极区域；以及配线层，所述配线层包括：正极电极；连接至所述正极区域和所述正极电极的正极过孔；负极电极；以及连接至所述负极区域和所述负极电极的负极过孔，其中，在平面图中，所述正极过孔位于所述像素的四个角部。

本申请是申请日为2018年7月25日、发明名称为“固体摄像器件”的申请号为201880003275.7的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及固体摄像器件(或摄像器件)和/或包括摄像器件的电子装置，特别地，涉及被配置成抑制噪声发生的固体摄像器件和/或电子装置。

相关申请的交叉参考

本申请要求2017年8月4日提交的日本优先专利申请JP2017-151980的权益，并将该日本优先专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

背景技术

固体摄像器件用来在相机或类似设备中采集图像。在光入射面布置在半导体基板的正面上的正面照射型固体摄像器件中，消弧电路(quench circuit)布置在半导体基板的正面侧(光入射面侧)上。结果，孔径比由于空间而减小。

另一方面，在背面照射型固体摄像器件中，消弧电路布置在与半导体基板的光入射面相反的一侧(背面侧)上。即使在背面照射型固体摄像器件中，各像素的尺寸有时也会由于诸如像素的数量增加等因素而减小。在这种情况下，由于工艺设计的限制，消弧电路有时可能必须布置在各像素的有效区域的外部，且因此，在这种情况下，孔径比也减小。因此，已经提出了将消弧电路布置在安装基板上而不是布置在半导体基板上的技术(例如，PTL1)。

此外，已经提出了这样的技术：通过将从包括半导体区域表面的参考平面到读出布线的距离增大到大于从该参考平面到表面电极的距离并且通过增加设计读出布线的宽度时的自由度来减小孔径比(例如，PTL2)。

此外，已经提出了这样的技术：通过连接区域连接用于交换信号的第一半导体芯片和第二半导体芯片并且在连接区域中形成用于交换信号的凸块和用于围绕凸块的屏蔽构件来降低噪声(例如，PTL 3)。

引用列表

专利文献

PTL 1：JP 2013-89919A

PTL 2：JP 2016-192551A

PTL 3：JP 2015-60909A

发明内容

技术问题

然而，在PTL 1的技术中，因为雪崩光电二极管和消弧电路是层叠的，所以缩短了与相邻的雪崩光电二极管连接的负极布线与电极之间的距离，使得寄生电容增加。此外，当孔径比增大时，整个像素部的倍增层的密度增大，且因此，击穿时产生的电流的量也增加，使得雪崩击穿发生时的正极电压的波动量增加。因此，难以抑制噪声。

此外，在PTL 2的技术中，难以减小读出布线之间的寄生电容的影响，且在小型化的情况下，难以抑制由读出布线之间的干扰造成的噪声。

此外，在PTL 3的技术中，屏蔽构件的长度增大，且因此，电阻值相应地增加，使得雪崩击穿发生时的正极电压的波动量增加。因此，难以抑制噪声。

本发明是鉴于上述情况而做出的，并且本发明旨在抑制噪声。

技术问题的解决方案