[发明专利]闪存及闪存的工作方法有效
申请号: | 202110590293.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113345505B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 郑钟倍 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 工作 方法 | ||
1.一种闪存的工作方法,所述闪存包括存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储块,各个所述存储块包括至少一个存储单元列,所述至少一个存储单元列共用同一位线,其特征在于,所述工作方法包括:
对应每个存储块,配置一擦除状态存储位;
响应于擦除请求,执行所述存储块的擦除过程;
基于所述擦除过程的执行状态,生成所述存储块的擦除过程执行数据于所述擦除状态存储位,所述擦除过程执行数据包括代表所述擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表所述擦除过程执行中断的擦除执行异常数据;
若在所述擦除过程的执行中未发生掉电,则生成所述擦除执行正常数据于所述擦除状态存储位;
若在所述擦除过程的执行中发生掉电,则生成所述擦除执行异常数据于所述擦除状态存储位,并对生成所述擦除执行异常数据的存储块执行再次擦除操作。
2.根据权利要求1所述的工作方法,其特征在于,所述擦除执行正常数据为二进制表征的1;所述擦除执行异常数据为二进制表征的0。
3.根据权利要求2所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
获取所述闪存的通电状态,所述通电状态包括初始上电状态;
响应于所述初始上电状态,获取所述擦除过程执行数据;
若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据,执行所述存储块的再次擦除过程。
4.根据权利要求3所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
响应于所述再次擦除过程的操作完成,更新所述擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据。
5.根据权利要求4所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
配置所述存储单元阵列为多个顺序编号的存储块;
获取所述闪存的通电状态,所述通电状态包括初始上电状态;
响应于所述初始上电状态,获取初始编号的存储块对应的所述擦除过程执行数据;
若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据,获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据,直至最后编号的存储块。
6.根据权利要求5所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据,执行当前编号的存储块的再次擦除过程,更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据,并结束所述擦除过程执行数据的获取过程。
7.根据权利要求5所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据,执行当前编号的存储块的再次擦除过程,更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据,并获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据,直至最后编号的存储块。
8.根据权利要求1所述的工作方法,其特征在于,所述响应于所述擦除请求,执行所述存储块的擦除过程的步骤,包括:
响应于所述擦除请求,执行所述存储块的预编程操作;
基于所述预编程操作的完成信息,执行所述存储块的擦除操作。
9.根据权利要求8所述的工作方法,其特征在于,所述响应于所述擦除请求,执行所述存储块的擦除过程的步骤,还包括:
根据所述擦除操作的完成信息,执行所述存储块的过擦除校正操作。
10.根据权利要求3所述的工作方法,其特征在于,所述若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据,执行所述存储块的再次擦除过程的步骤,包括:
若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据,执行所述存储块的过擦除校正操作。
11.根据权利要求1至10任一项所述的工作方法,其特征在于,所述擦除过程包括过擦除校正操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110590293.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。