[发明专利]一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法在审
| 申请号： | 202110590294.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113198442A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨云军 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J37/34 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 韩洪淼 |
| 地址： | 250307 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 等离子体 轰击 钛靶材 填料 表面 生长 纳米 氧化 触媒 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法，其特征在于，所述方法以纯钛为靶材，采用等离子体真空溅射工艺，在纯氧环境中，直接从填料表面生长出纳米级别的二氧化钛光触媒催化剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法的具体步骤如下：
(1)选用或金属非金属极板，对填料表面进行酸洗、碱洗和清水洗涤，去油去污，然后热风烘干；
(2)入炉，真空抽至6×10-3帕，加热至100-400摄氏度；通入高纯氧气至3帕，启动ICP离子源，产生氧离子轰击填料表面，进行离子源清洗，结束后抽真空；
(3)再通入氧气至0.6帕，然后启动ICP离子源，产生氧离子轰击钛靶，镀膜5-60分钟；自然降温至80摄氏度，出炉。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中酸洗中的酸为浓度10％的硫酸，碱洗中的碱为浓度10％的氢氧化钠。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中极板选自玻璃、不锈钢、陶瓷板、氧化铝或氧化锆中的任意一种。
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