[发明专利]相变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：多个第一接触插塞、位于第一平面的辅助位线层和位于第二平面的辅助字线层；

所述第一接触插塞包括：贯穿所述辅助位线层和所述辅助字线层的第一接触孔、覆盖所述第一接触孔的侧壁的隔离层以及填充所述第一接触孔的导电材料层；

其中，所述第一平面与所述第二平面相互平行。

2.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一接触孔沿垂直于所述第一平面方向的截面形状为矩形或上宽下窄的梯形。

3.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一接触孔沿所述第一平面方向的截面形状为圆形、矩形或多边形。

4.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述隔离层的厚度为

6.如权利要求1-5任一项所述的相变存储器，其特征在于，所述辅助字线层包括多条沿第一方向延伸的辅助字线和设置在相邻两条所述辅助字线之间的第一介质层；所述辅助位线层包括多条沿第二方向延伸的辅助位线和设置在相邻两条所述辅助位线之间的第二介质层；所述第一接触孔贯穿所述辅助字线或所述第一介质层；所述第一接触孔贯穿所述辅助位线或所述第二介质层；其中，所述第一方向与所述第二方向位于同一平面且相互垂直。

7.如权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，还包括：上层互连层和下层互连层；

所述下层互连层、所述辅助字线层、所述辅助位线层和所述上层互连层沿第三方向依次设置；所述第一接触插塞的底部至所述下层互连层的上表面、顶部至所述上层互连层的下表面；其中所述第三方向垂直于所述第一平面。

8.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在相互平行的两个平面内分别形成辅助位线层和辅助字线层；

刻蚀所述辅助位线层和所述辅助字线层以形成第一接触孔；

在所述第一接触孔的侧壁上形成隔离层，在所述第一接触孔内填充导电材料层，以形成第一接触插塞。

9.如权利要求8所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离层的形成方法包括：

在所述第一接触孔内执行沉积工艺形成隔离材料层，以使所述隔离材料层覆盖所述第一接触孔的底部和侧壁；以及，

执行回刻蚀工艺，以去除所述隔离材料层位于第一接触孔底部的部分，并保留所述隔离材料层覆盖第一接触孔侧壁的部分而构成所述隔离层。

10.如权利要求8所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一接触孔沿着高度方向的截面形状为矩形或上宽下窄的梯形；和/或，

所述第一接触孔垂直于高度方向的截面形状为圆形、矩形或多边形。

11.如权利要求8所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或多种。

12.如权利要求8所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述辅助位线层和所述辅助字线层以形成第一接触孔包括：刻蚀所述辅助位线层中的辅助位线或相邻两条辅助位线之间的介质层；刻蚀所述辅助字线层中的辅助字线或相邻两条辅助字线之间的介质层。

13.如权利要求8-12任一项所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，还包括：形成辅助位线层和辅助字线层之前形成下层互连层，以使在形成所述第一接触孔时刻蚀至所述下层互连层的上表面；以及在所述第一接触插塞的顶部形成覆盖所述第一接触插塞的上层互连层。