[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，

其中，

所述半导体基板具有：

晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及

二极管区域，其形成有所述二极管，

所述晶体管区域具有：

第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；

第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上；

第1导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的第1主面侧；

第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；

栅极绝缘膜，其是与所述第4半导体层、所述第3半导体层及所述第2半导体层接触地形成的；

栅极电极，其形成为隔着所述栅极绝缘膜与所述第3半导体层相对；

电极，其与所述第4半导体层连接；以及

第1电极，其与所述第1半导体层连接，

所述二极管区域具有：

第2导电型的第5半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧；

所述第2半导体层，其设置于所述第5半导体层之上；

所述第3半导体层；

第1导电型的第6半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；

所述电极，其与所述第6半导体层连接；以及

第2电极，其与所述第5半导体层连接，

所述第1电极及所述第2电极由不同的材料构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层与所述第1电极进行欧姆连接，

所述第5半导体层与所述第2电极进行欧姆连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有末端区域，该末端区域与包含所述晶体管区域及所述二极管区域的有源区域相比设置于外侧，

所述末端区域具有：

所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及

所述第2电极，其与所述第1半导体层连接，

所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有沿所述有源区域的外周部设置有栅极配线的栅极配线区域，

所述栅极配线区域具有：

所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及

所述第2电极，其与所述第1半导体层连接，

所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有沿所述有源区域的外周部设置有栅极配线的栅极配线区域，

所述栅极配线区域具有：

所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及

所述第1电极，其与所述第1半导体层连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层与所述第1电极进行欧姆连接。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有：

末端区域，其与包含所述晶体管区域及所述二极管区域的有源区域相比设置于外侧；以及

栅极配线区域，其构成为，沿所述有源区域的外周部设置有栅极配线，

所述栅极配线区域及所述末端区域具有在所述半导体基板的第2主面侧设置的所述第1半导体层，

所述栅极配线区域及所述末端区域的至少一者具有与所述第1半导体层连接的所述第1电极及所述第2电极，

所述第1半导体层与所述第1电极进行欧姆连接，

所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

与所述第1半导体层连接的所述第1电极及所述第2电极各自交替地配置多个，相对于所述第2电极的所述第1电极的俯视观察时的面积比率从所述有源区域朝向所述半导体基板的端部逐渐变小。