[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110592598.8 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113296304A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 陈鹏;张新霞;杜化鲲;李恒滨;马力;王景棚;陈健健;张熠点 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1339
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张帆
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括源漏层,其特征在于,包括阵列排布的像素单元,

每个像素单元包括设置在所述源漏层上的限位组件,用于限定与所述阵列基板对盒的彩膜基板的支撑柱。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个像素单元包括像素电极,所述阵列基板包括设置在所述源漏层上的并且一体成型的第一绝缘层;

每个像素单元的第一绝缘层包括第一区域、第二区域和第三区域,其中

所述第一区域相对于所述衬底的厚度大于所述第二区域相对于衬底的厚度以形成所述限位组件和由所述限位组件限定的限位区域,所述限位区域与所述支撑柱对应设置;

所述第三区域为贯通所述第一绝缘层的通孔以露出所述源漏层以电连接所述像素电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层的第一区域、第二区域和第三区域为使用具有不同透过率的掩膜板在同一图案化工艺中形成的,其中

所述第一区域对应的掩膜板的透过率小于所述第二区域对应的掩膜板的透过率;

所述第二区域对应的掩膜板的透过率小于所述第三区域对应的掩膜板的透过率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一区域对应的掩膜板的透过率为0;

所述第二区域对应的掩膜板的透过率为40%-50%;

所述第三区域对应的掩膜板的透过率为100%。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层为有机层,其中,

所述第一区域相对于所述衬底的厚度为第一预设厚度,所述第一区域的坡度角满足第一预设坡度角范围;

所述第二区域相对于所述衬底的厚度为第二预设厚度;

所述第三区域的坡度角满足第三预设坡度角范围。

6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层为正性光刻胶。

7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层相对于所述衬底的厚度小于所述第一绝缘层相对于所述衬底的厚度;

所述第二绝缘层为无机层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述限位组件相对于所述限位区域为圆环形状、矩形环状、两点限位形状、三点限位形状和四点限位形状中的一个。

9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板,其中

所述彩膜基板包括支撑柱,所述支撑柱对应于所述阵列基板的每个像素单元的限位组件,所述支撑柱靠近所述彩膜基板的一侧在所述衬底上的正投影覆盖所述支撑柱远离所述彩膜基板的一侧在所述衬底上的正投影。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。

11.一种制作如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板的制作方法,阵列基板,包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括源漏层,其特征在于,所述阵列基板包括阵列排布的像素单元,包括:

在每个像素单元的源漏层上形成限位组件,所述限位组件用于限定与所述阵列基板对盒的彩膜基板的支撑柱。

12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述在每个像素单元放入源漏层上形成限位组件进一步包括:

在所述源漏层上形成第一绝缘材料;

使用具有不同透过率的掩膜板图案化所述第一绝缘材料分别形成第一区域、第二区域和第三区域,其中所述第一区域相对于所述衬底的厚度大于所述第二区域相对于衬底的厚度以形成所述限位组件和由所述限位组件限定的限位区域,所述限位区域与所述支撑柱对应设置,所述第三区域为贯通所述第一绝缘层的通孔以露出所述源漏层。

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