[发明专利]一种粗碲粉两段浸出脱硒制备二氧化碲的方法在审
| 申请号： | 202110592834.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113200525A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 马永峰;赵秀丽;姜海燕;张娟;宗红星;张鹏;马宏博;张媛庆;张琰 | 申请（专利权）人： | 金川镍钴研究设计院有限责任公司;金川集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 张华芳 |
| 地址： | 737100 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 粗碲粉两段 浸出 制备 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种粗碲粉两段浸出脱硒制备二氧化碲的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
（1）将粗碲粉分步分批次加入稀硝酸溶液中反应1～2h，得到含碲的复合碱式盐；
（2）将含碲的复合碱式盐分步分批次加入浓硝酸溶液中反应1～2h，得到二氧化碲。
2.根据权利要求1所述的粗碲粉两段浸出脱硒制备二氧化碲的方法，其特征在于，步骤（1）中采用的硝酸质量浓度为20%～25%，用量为理论计算量的1.2～1.5倍。
3.根据权利要求1所述的粗碲粉两段浸出脱硒制备二氧化碲的方法，其特征在于，步骤（2）中采用的硝酸质量浓度为65%～68%，用量为理论计算量的0.95～1.0倍。
4.根据权利要求1所述的粗碲粉两段浸出脱硒制备二氧化碲的方法，其特征在于，步骤（2）得到的二氧化碲含硒不大于0.0005%，达到TeO299.99含硒不大于0.001%的要求，整个工艺硒的脱除率达到99.8%以上。
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