[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供了一种半导体器件，包括：浅沟槽隔离结构；导电性区域；第一栅极结构，位于浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，第一金属层位于第一栅极的两侧，第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层。通过连接件连接，相邻第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；第二栅极结构，部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域上。包括：第二栅极，第一金属层和连接件，第一金属层位于第二栅极的两侧，第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻第二栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体技术中，器件的尺寸越来越小，因此，在衬底上形成器件时，往往是多个器件同时形成，然后进行分割，因此，本发明的第一栅极和第二栅极在制程上是同一步骤形成的，然后将其切断形成两个器件，第一栅极为一个器件，第二栅极为另一个器件。然而，如果第一栅极和第二栅极没有被切断，就会影响两个器件的性能，因此，需要检测第一栅极和第二栅极是否被切断。

现有技术中，半导体器件如图1，第一栅极111在浅沟槽隔离结构上，第一栅极111的两侧的第一金属层112通过连接件113连接，第二栅极114部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域115。第二栅极114与第一栅极111在同一条线上并具有一定的距离，也就是说正常的半导体器件第二栅极114与第一栅极111之间被切断的。如果要检测第一栅极111和第二栅极114是否被切断，可以在浅沟槽隔离结构上方增加一个第一焊盘，在导电性区域的上方增加第二焊盘，第一焊盘处于悬空状态，第二焊盘接地。通过线上扫描电子显微镜观察第一焊盘的电压衬底的明暗程度，从而判断第一栅极111和第二栅极114是否切断。如果第一栅极111和第二栅极114没有被切断，则电压衬度是明亮的。

然而，如果在连接件113和第一金属层112的连接处，出现了过刻蚀，也就是说刻蚀到了下方的浅沟槽隔离结构，此时，电压衬度也是明亮的。所以当得到的图片上出现亮度时，可能的原因是，此处的第一栅极111和第二栅极114没有被切断，另一种就是此第一栅极111对应的连接件和第一金属层112的连接处出现了过刻蚀。这时候就需要在第一金属层112和连接件113连接的地方进行切片，进行进一步的验证。然而，每个第一金属层112均有两个地方会和连接件113连接，所以这时候就会对两个连接处进行切片，然而真正出现过刻蚀的可能就在其中一个连接处，这样如果两个连接处中选一处进行切片，则可能出现误切另一处的情况，间接影响半导体器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件，可以检测第一栅极和第二栅极是否被切断，同时，当第一金属层和连接件可能出现过刻蚀时，可以及时通过切片找出过刻蚀的地方，减少出现误切的情况。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件包括：

浅沟槽隔离结构；

导电性区域，与所述浅沟槽隔离结构相邻设置；

第一栅极结构，位于所述浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，所述第一金属层位于所述第一栅极的两侧，所述第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻所述第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；以及

第二栅极结构，部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域上，包括：第二栅极、第一金属层和一个连接件，所述第一金属层位于所述第二栅极的两侧，所述第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻所述第二栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接。

可选的，在所述的半导体器件中，所述第一栅极和所述第二栅极位于同一条线上，并且在这条线上间隔一段距离。

可选的，在所述的半导体器件中，所述导电性区域包括有源区或鳍片层。