[发明专利]光非对称传输结构及光学器件在审

专利信息
申请号: 202110593145.7 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113311522A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 周健 申请(专利权)人: 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G02B5/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 李迎亚;姜春咸
地址: 100176 北京市北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 对称 传输 结构 光学 器件
【权利要求书】:

1.一种光非对称传输结构,其特征在于,包括:第一基板及位于所述第一基板上的多个光栅单元;

所述光栅单元包括:金属层;所述金属层的厚度小于或等于500纳米。

2.根据权利要求1所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述光栅单元还包括:电介质层;

所述电介质层位于所述第一基板与所述金属层之间。

3.根据权利要求2所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层在所述第一基板上的正投影与所述电介质层在所述第一基板上的正投影至少部分重叠。

4.根据权利要求3所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层在所述第一基板上的正投影落在所述电介质层在所述第一基板上的正投影内。

5.根据权利要求4所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层的中心点与所述电介质层的中心点位于同一直线上。

6.根据权利要求2所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层具有背离所述第一基板的第一底面及与所述第一底面相对设置的第二底面,所述电介质层具有背离所述第一基板的第三底面及与所述第三底面相对设置的第四底面;

所述第一底面的面积小于或等于所述第二底面的面积,所述第二底面的面积小于或等于所述第三底面的面积,所述第三底面的面积小于或等于所述第四底面的面积。

7.根据权利要求6所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层还具有与所述第一底面和所述第二底面均连接的第一侧面,所述电介质层还具有与所述第三底面和所述第四底面均连接的第二侧面;

所述第一侧面沿着垂直于所述第一基板的方向形成有相对设置的第一侧边和第二侧边;所述第二侧面沿着垂直于所述第一基板的方向形成有相对设置的第三侧边和第四侧边;

所述第一侧边与所述第三侧边的连接处为弧形连接或直线连接;

所述第二侧边和所述第四侧边的连接处为弧形连接或直线连接。

8.根据权利要求2所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述金属层的材料包括:铝、银或金中的一种或多种;所述电介质层的材料包括:氮化硅。

9.根据权利要求1或2所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述多个光栅单元呈三角晶格排布、四方晶格排布或六角晶格排布。

10.根据权利要求1或2所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述光非对称传输结构还包括:与所述第一基板对盒设置的第二基板、及位于所述第一基板和所述第二基板之间的各向异性材料;

所述各向异性材料填充于所述光栅单元之间以及所述光栅单元与所述第二基板之间。

11.根据权利要求10所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述各向异性材料包括:液晶材料。

12.根据权利要求11所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述光非对称传输结构还包括:相对设置的第一电极层和第二电极层;

所述第一电极层位于所述第一基板与所述电介质层之间;

所述第二电极层位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧;

所述液晶材料填充于所述第一电极层和所述第二电极层之间。

13.根据权利要求12所述的光非对称传输结构,其特征在于,所述光非对称传输结构还包括:配向层;

所述配向层位于所述第二电极层背离所述第二基板的一侧。

14.一种光学器件,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的光非对称传输结构。

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