[发明专利]量子点发光器件、其制作方法及显示装置

说明书

本申请实施例提供了一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。该量子点发光器件包括衬底以及在远离衬底的方向上依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层；电子传输层的材料为金属氧化物；量子点发光层包括量子点和连接在量子点表面的吸电配体，吸电配体包括位于量子点远离电子传输层一侧的吸电子基团；空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，吸电子基团和给电子基团相互作用形成偶极子。本实施例利用这些形成的偶极子减小量子点发光层和空穴传输层之间的势垒，能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。

背景技术

量子点因其发光峰位可以横跨深蓝至近红外波段区域，发光半高宽较窄的特点，而应用到具有广色域的高品质显示器件中。对于量子点电致发光器件而言，由于电子传输层通常采用的金属氧化物，具有较大的电子迁移率且与量子点之间的注入势垒较小；而空穴传输层则通常采用有机物空穴迁移率相对较低且与量子点之间的注入势垒较大。

以上因素使得在量子点电致发光器件中，电子传输速度比空穴传输速度快得多，导致量子点带负电，产生俄歇复合，限制了QLED器件的效率和寿命。

发明内容

本申请提供一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置，能够在不降低电子传输能力的前提下，提高空穴的传输能力，有助于改善平衡空穴与电子传输能力，抑制俄歇复合，提升QLED器件的效率和寿命。

第一个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件，包括依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层；

所述电子传输层的材料为金属氧化物；

所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；

所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子。

可选地，所述电子传输层的材料包括ZnO或ZnMgO。

可选地，所述吸电子基团包括-F、-Cl、-CN、-NO₂、-ClO₃、-ClO₂以及-ClO中的至少一种。

可选地，所述给电子基团包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种。

可选地，所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银。

第二个方面，本申请实施例提供了一种量子点显示装置，包括衬底基板和多个阵列排布的上述的量子点发光器件。

第三个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括：

在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层；

在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；

在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层，所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子；

在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层。

可选地，在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，包括：

利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层；