[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202110595331.4 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113327940A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 吴欣慰;张伟;郭钟旭;史大为;徐燕燕;李存智 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括功能器件设置区,和围绕所述功能器件设置区的至少部分边界的主显示区;所述显示面板包括:
衬底;
绝缘层,设置于所述衬底上;所述绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸;相邻的凸条和沟槽中,所述凸条远离所述衬底的一面中,沿第一方向且靠近所述沟槽的边界在所述衬底上的正投影,位于所述沟槽在所述衬底上的最大正投影范围内;
至少一条第一透明导电线,每条第一透明导电线位于一个凸条远离所述衬底一面上,且沿第一方向延伸;
至少一条第二透明导电线,每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸;
其中,所述第一透明导电线的宽度与所述凸条远离所述衬底的一面的宽度近似相等,所述第二透明导电线的宽度与所述沟槽远离所述衬底的一侧开口的宽度近似相等。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括:
第一绝缘层;
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧;所述第二绝缘层的材料与所述第一绝缘层的材料不同;
所述凸条包括位于所述第一绝缘层的第一子凸条,和位于所述第二绝缘层的第二子凸条;沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最小值小于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值;所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值小于或等于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的材料为氧化硅,所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多条转接线,每条转接线包括位于功能器件设置区的第一部分和位于主显示区的第二部分;每条所述第一透明导电线与一条转接线的第一部分电连接,且每条所述第二透明导电线与一条转接线的第一部分电连接;
多个第一像素电路,设置于所述主显示区;每条转接线的第二部分与一个第一像素电路电连接;
多个第一电极,设置于所述功能器件设置区;每条第一透明导电线与一个第一电极电连接,且每条第二透明导电线与一个第一电极电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,包括:
像素电路层,包括所述多个第一像素电路;所述像素电路层包括层叠设置的半导体层、栅导电层和源漏导电层;所述多条转接线设置于所述栅导电层;
连接层,位于所述像素电路层远离所述衬底的一侧;所述第一透明导电线和所述第二透明导电线设置于所述连接层;
第一电极层,位于所述连接层远离所述衬底的一侧;所述多个第一电极设置于所述第一电极层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第三绝缘层,位于所述栅导电层和所述源漏导电层之间;
钝化层,位于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧;
第一平坦层,位于所述钝化层与所述连接层之间;所述第一平坦层中设置有开口,所述功能器件设置区位于所述开口在所述衬底上的正投影范围内;
其中,所述第三绝缘层和所述钝化层中设置有第一过孔,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线通过相应的第一过孔与相应的转接线的第一部分电连接;
所述第三绝缘层中设置有第二过孔,所述转接线的第二部分通过相应的第二过孔与相应的第一像素电路中晶体管的源极或漏极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述钝化层包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层;或者,
所述第三绝缘层作为所述第一绝缘层,所述钝化层作为所述第二绝缘层。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,用于电连接的所述第一透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度大于用于电连接的所述第二透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的