[发明专利]芯片转移结构、制作芯片转移结构的系统及方法

说明书

本申请涉及一种芯片转移结构、制作芯片转移结构的系统及方法。该系统包括：承载单元，用于承载一待处理基材；激光单元，用于辐照预设波长之激光至待处理基材；控制单元，与激光单元电连接，用于控制激光按照预定路径辐照待处理基材，以使待处理基材表面经由激光的烧蚀后形成若干呈阵列分布的凸起，各凸起的尺寸与待转移芯片之尺寸相当。采用上述系统，通过控制单元控制激光按照预定路径对待处理基材进行辐照，形成与待转移芯片之尺寸相当的呈阵列分布的凸起，从而可以根据生长基板上预转移的芯片或目标背板上芯片的转移区域设计预定路径，使制作得到的芯片转移结构具有灵活的排列方式，实现了不同芯片排列组合快速切换，提高了制作工艺的实用性。

技术领域

本申请涉及芯片巨量转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移结构、制作芯片转移结构的系统及方法。

背景技术

微型发光二级管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以Micro-LED技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。

在Micro-LED产业技术中巨量转移技术为核心关键技术，通过高精度设备将大量Micro-LED晶粒转移到目标基板或者电路上。其中，巨转成本、良率、精度是巨量转移成功的关键。

采用印章转移是目前巨量转移中应用广泛的一种转移方式，其利用基材粘附力将芯片拾取以实现巨量转移，但在在实际应用中会采用平片式芯片转移结构或凸块式芯片转移结构将芯片转移，在实际应用中凸块式芯片转移结构可实现芯片固定行列芯片选择更具有前景。

凸块式印章通常采用转印技术等方式制备，需要先制备高精度模板，该模板成本高昂，制作周期长，且不同芯片排列方式需重新设计制作，由此导致印章成本高昂，适用性差等问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移结构、制作芯片转移结构的系统及方法，旨在解决现有技术中芯片转移结构制作工艺成本高且适用性差的问题。

一种制作芯片转移结构的系统，其包括：

承载单元，用于承载一待处理基材；

激光单元，用于辐照预设波长之激光至待处理基材；

控制单元，与激光单元电连接，用于控制激光按照预定路径辐照待处理基材，以使待处理基材表面经由激光的烧蚀后形成若干呈阵列分布的凸起，各凸起的尺寸与待转移芯片之尺寸相当。

采用本申请的上述制作芯片转移结构的系统，能够通过控制单元控制激光按照预定路径对待处理基材进行辐照，以形成与待转移芯片之尺寸相当的若干呈阵列分布的凸起，从而可以根据生长基板上预转移的芯片或目标背板上的芯片转移区域设计预定路径，使制作得到的芯片转移结构具有灵活的排列方式，实现了不同芯片排列组合快速切换，提高了制作工艺的实用性，且与现有技术相比，无需依据目标背板单独制备高精度模板，降低了工艺成本。

可选地，上述待转移芯片的尺寸为微米级或亚微米级。本申请的上述系统能够制作出与上述芯片尺寸相当的微米级或亚微米级的凸起，使芯片转移结构能够适用于对Micro-LED晶粒的转移。

可选地，上述控制单元还包括：存储模块，用于存储控制单元的可执行指令；处理器，被配置为执行实现以下功能的指令：控制激光按照预定路径辐照待处理基材。