[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有输出级元件以及用于检测所述输出级元件的电流的检测用元件，所述半导体装置的特征在于，

所述输出级元件和所述检测用元件分别具备：

第一导电型的漂移区；

第二导电型的沟道形成区，其设置于所述漂移区的上部；

第一导电型的主电极区，其设置于所述沟道形成区的上部；以及

栅极电极，其隔着栅极绝缘膜被填埋到与所述主电极区、所述沟道形成区以及所述漂移区相接的第一沟槽，

其中，在平面图案上，多条所述检测用元件和所述输出级元件共用的所述第一沟槽相互平行地延伸，

在所述平面图案上，与多条所述第一沟槽正交且相互平行地延伸的多条第二沟槽将所述检测用元件夹在中间，由此将所述输出级元件的所述沟道形成区与所述检测用元件的所述沟道形成区分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备控制电路，该控制电路根据所述检测用元件的检测结果来控制所述输出级元件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

检测用电极，其与所述检测用元件的所述主电极区连接；以及

主电极，其与所述检测用电极设置于同一层，与所述输出级元件的所述主电极区连接，

所述检测用电极借助比所述主电极靠上层的布线被向所述控制电路侧引出。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述输出级元件包括多条所述第一沟槽的长边方向上的端部，

所述半导体装置还具备以覆盖多条所述第一沟槽的侧面和底面的方式设置的第二导电型的电场缓和区。

5.一种半导体装置，具有输出级元件以及用于检测所述输出级元件的电流的检测用元件，所述半导体装置的特征在于，

所述输出级元件和所述检测用元件分别具备：

第一导电型的漂移区；

第二导电型的沟道形成区，其设置于所述漂移区的上部；

第一导电型的主电极区，其设置于所述沟道形成区的上部；以及

栅极电极，其隔着栅极绝缘膜被填埋到与所述主电极区、所述沟道形成区以及所述漂移区相接的第一沟槽，

其中，在平面图案上，多条所述检测用元件和所述输出级元件共用的所述第一沟槽相互平行地延伸，

在所述平面图案上，与多条所述第一沟槽正交地延伸的至少1条第二沟槽将所述输出级元件的所述沟道形成区与所述检测用元件的所述沟道形成区分离，

在所述检测用元件的、沿所述第一沟槽的长边方向上的仅一侧设置有所述输出级元件。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

还具备控制电路，该控制电路根据所述检测用元件的检测结果来控制所述输出级元件。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

检测用电极，其与所述检测用元件的所述主电极区连接；以及

主电极，其与所述检测用电极设置于同一层，与所述输出级元件的所述主电极区连接，

所述检测用电极借助与所述主电极在同一层的布线被向所述控制电路侧引出。

8.根据权利要求5～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述输出级元件包括多条所述第一沟槽中的一部分所述第一沟槽的长边方向上的端部，

所述检测用元件包括多条所述第一沟槽的其他一部分所述第一沟槽的长边方向上的端部，

所述半导体装置还具备以覆盖所述输出级元件的所述第一沟槽的端部的方式设置的第二导电型的第一电场缓和区、以及与所述第一电场缓和区相离且以覆盖所述检测用元件的所述第一沟槽的端部的方式设置的第二导电型的第二电场缓和区。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

多条所述第一沟槽中的位于所述输出级元件与所述检测用元件的边界的所述第一沟槽的长边方向上的端部设置于所述第一电场缓和区与所述第二电场缓和区之间。