[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和显示面板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和显示面板，该薄膜晶体管包括：基板；催化部，所述催化部设置在所述基板上；有源层，所述有源层设置在所述基板上并与所述催化部接触，所述有源层的组成材料包括单晶硅和/或多晶硅。该方案在采用非晶硅制备有源层的过程中，无需采用准分子激光退火，可以经催化部的催化得到单晶硅和/或多晶硅，从而制备的薄膜晶体管可以应用于大尺寸显示面板，提高了薄膜晶体管的利用率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有高画质、省电以及机身薄等优点，成为显示面板中的主流。

薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)是LCD中的主要驱动元件，其依据有源层材料的不同，可以划分为非晶硅(a-Si，amorphous silicon)TFT、低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)TFT及单晶硅TFT。

现有技术中，大尺寸显示面板中的TFT制备工艺复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和显示面板，解决了现有技术中，大尺寸显示面板的TFT制备工艺复杂的问题。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，其包括：

基板；

催化部，所述催化部设置在所述基板上；

有源层，所述有源层设置在所述基板上并与所述催化部接触，所述有源层的组成材料包括单晶硅和/或多晶硅。

在一实施例中，薄膜晶体管还包括位于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层具有凹槽，所述催化部和所述有源层设置在所述凹槽内，所述催化部和所述有源层同层设置，所述有源层设置在所述催化部的一侧。

在一实施例中，所述凹槽的宽度范围为1微米至10微米。

在一实施例中，当所述凹槽的宽度范围为1微米至2微米时，所述有源层的组成材料为所述单晶硅，当所述凹槽的宽度范围为2微米至10微米时，所述有源层的组成材料为所述多晶硅。

在一实施例中，薄膜晶体管还包括位于所述基板上的缓冲层；

所述催化部设置在所述缓冲层上，所述有源层设置在所述催化部上；或

所述有源层设置在所述缓冲层上，所述催化部设置在所述有源层上。

在一实施例中，当所述有源层设置在所述催化部上时，所述催化部与所述有源层接触的表面为非平面；

当所述催化部设置在所述有源层上时，所述有源层与所述催化部接触的表面为平面。

在一实施例中，所述催化部的组成材料为金属催化剂。

在一实施例中，所述金属催化剂包括铟、镓以及锡中的一种或者其组合。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：

提供基板；

在所述基板上形成缓冲层，所述缓冲层具有凹槽；

在所述凹槽内一侧形成催化部；

在所述缓冲层和所述催化部上形成非晶硅薄膜层，得到目标基板，其中，所述非晶硅薄膜层包括目标非晶硅薄膜层，所述目标非晶硅薄膜层位于所述凹槽内并与所述催化部的侧部接触；

对所述目标基板进行退火处理，使所述目标非晶硅薄膜层在所述催化部的催化下转化成单晶硅层和/或多晶硅层，以得到有源层。