[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及液晶显示面板

说明书

本申请提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及液晶显示面板，涉及显示技术领域，该阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上依次沉积第一金属层和多薄膜层，进行第一道光刻工艺，形成第一金属图案层以及位于第一金属图案层上的多薄膜图案层；沉积光阻层，从衬底基板远离第一金属图案层的一侧，以第一金属图案层为第一掩膜板，进行第二道光刻工艺，去除与衬底基板接触的光阻层，形成光阻图案层；沉积第一绝缘层，剥离光阻图案层以及位于光阻图案层远离衬底基板一侧的第一绝缘层。该制备方法通过将第一次光刻工艺后刻蚀出来的第一金属图案层作为第二道光刻工艺的掩膜板来使用，从而可以节省一道掩膜板，达到降低阵列基板的制造成本的目的。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板 及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示面板(liquid crystal display，LCD)具有低辐射、体积小及低耗能 等优点，被广泛的应用于笔记本电脑、电视等各种电子设备中。

液晶显示面板通常包括阵列基板(thin film transistor，TFT)、彩膜基板(colorfilter，CF)、夹在阵列基板和彩膜基板之间的液晶(liquid crystal，LC)以及 密封胶框等。

现有技术中，阵列基板的制造技术经历了从7次光刻技术(7mask)到5 次光刻技术(5mask)，再到4次光刻技术(4mask)、3次光刻技术(3mask) 的发展过程，光刻工艺的减少可以降低阵列基板的制作成本和制作周期。

但是，现有技术中的3次光刻技术并不具有实际应用的可能，由此，亟待 一种相对于4次光刻技术可以降低成本的阵列基板的制备方法。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及液晶显示面板， 对4次光刻技术进行优化改善，通过在第二道光刻工艺中以第一道光刻工艺刻 蚀出的第一金属图案层为掩膜板，从而可以节省一道光罩，来实现阵列基板的 制造成本的目的。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上依次沉 积第一金属层和多薄膜层，进行第一道光刻工艺，形成第一金属图案层以及位 于所述第一金属图案层上的多薄膜图案层；所述第一金属图案层包括公共电极 线、栅线和栅极；

沉积光阻层，从所述衬底基板远离所述第一金属图案层的一侧，以所述第 一金属图案层为第一掩膜板，进行第二道光刻工艺，去除与所述衬底基板接触 的光阻层，形成光阻图案层；

沉积第一绝缘层，剥离所述光阻图案层以及位于所述光阻图案层远离所述 衬底基板一侧的所述第一绝缘层；

依次沉积像素电极层和第二金属层，进行第三道光刻工艺，形成像素电极 和第二金属图案层；其中，位于所述栅极上的所述像素电极具有第一间隙，所 述第二金属图案层包括源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极分别位于所 述第一间隙的相对两侧。

第一方面提供的阵列基板，通过在第二道光刻工艺中以第一道光刻工艺刻 蚀出的第一金属图案层作为掩膜板使用，从而可以节省一道光罩，来实现阵列 基板的制造成本的目的。

在第一方面一种可能的实现方式中，在衬底基板上依次沉积第一金属层和 多薄膜层，进行第一道光刻工艺，形成第一金属图案层以及位于所述第一金属 图案层上的多薄膜图案层，包括：在所述衬底基板上，依次沉积所述第一金属 层和所述多薄膜层，采用第二掩膜板进行掩膜和曝光；所述多薄膜层包括依次 重叠的栅极绝缘层、有源层和有源掺杂层，其中，所述栅极绝缘层位于靠近所 述衬底基板的一侧；进行第一次刻蚀，形成所述第一金属图案层以及位于所述 第一金属图案层上的所述多薄膜图案层。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述光阻层为正向光阻层，并且，进 行所述第二道光刻工艺时，将氧气和六氟化硫作为刻蚀气体对光阻层进行灰化。