[发明专利]用于电平下降移位驱动器的系统和方法在审
申请号: | 202110598498.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN114121111A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | T·H·金 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电平 下降 移位 驱动器 系统 方法 | ||
本申请案涉及用于电平下降移位驱动器的系统和方法。一种存储器装置包含电平下降移位驱动器电路。所述电平下降移位驱动器电路包含:输入电路系统,其具有至少一个输入端口;和交叉结电路系统,其电耦合到所述输入电路系统且经配置以从所述输入电路系统接收第一信号以驱动包含在所述交叉结电路系统中的一或多个装置。所述电平下降移位驱动器电路进一步包含输出驱动电路系统,其电耦合到所述交叉结电路系统且经配置以从所述交叉结电路系统接收第二信号,其中所述输出驱动电路系统包括输出线,所述输出线经配置以基于由所述输入电路系统接收的第一输入电压而递送第一电压输出,且基于由所述输入电路系统接收的第二输入电压而递送第二电压输出。
技术领域
本公开涉及移位驱动器,且更具体地说,涉及电平下降移位驱动器。
背景技术
某些读取/写入存储器装置,例如动态随机存取存储器(DRAM),包含具有存储信息的存储器单元的阵列。举例来说,某些DRAM装置,例如同步动态RAM(SDRAM)装置,可具有多个存储器组,所述多个存储器组具有包含在存储器阵列中的许多可寻址存储器元件或单元。在使用中,存储器装置,如SDRAM装置,可以高速度,例如每秒1千兆比特(Gbp)或更大的速度,接收数据输入信号,并基于数据输入信号将数据存储在存储器单元中。可使用电平移位驱动器,例如以将信号从一个逻辑电平或电压域转变为另一逻辑电平或电压域,因此实现处理器、逻辑、传感器等等中的域之间的桥接。改进电平移位驱动器中的电路系统将为有益的。
本公开的实施例可针对于上文所阐述的问题中的一或多个。
发明内容
在一个方面中,本申请案提供一种存储器装置,所述存储器装置包括:电平下降移位驱动器电路,所述电平下降移位驱动器电路包括:输入电路系统,其具有至少一个输入端口;交叉结电路系统,其电耦合到输入电路系统且经配置以从输入电路系统接收第一信号以驱动包含在交叉结电路系统中的一或多个装置,其中一或多个装置经由交叉结电耦合;以及输出驱动电路系统,其电耦合到交叉结电路系统且经配置以从交叉结电路系统接收第二信号,其中输出驱动电路系统包括输出线,所述输出线经配置以基于由输入电路系统接收的第一输入电压而递送第一电压输出,且基于由输入电路系统接收的第二输入电压来递送第二电压输出,其中第一或第二电压输出处于比第一或第二输入电压低的电压,且其中输出线不包含反馈环路。
在另一方面中,本申请案提供一种用于制造电平下降移位驱动器电路的方法,其包括:制造具有至少一个输入端口的输入电路系统;制造交叉结电路系统,所述交叉结电路系统电耦合到输入电路系统且经配置以从输入电路系统接收第一信号以驱动包含在交叉结电路系统中的一或多个装置,其中一或多个装置经由交叉结电耦合;以及制造输出驱动电路系统,所述输出驱动电路系统电耦合到交叉结电路系统且经配置以从交叉结电路系统接收第二信号,其中输出驱动电路系统包括输出线,所述输出线经配置以基于由输入电路系统接收的第一输入电压来递送第一电压输出,且基于由输入电路系统接收的第二输入电压来递送第二电压输出,其中第一或第二电压输出处于比第一或第二输入电压低的电压,且其中输出线不包含反馈环路。
在另一方面中,本申请案提供一种电平下降移位驱动器电路,所述电平下降移位驱动器电路包括:第一上拉电源;第二上拉电源,其低于第一上拉电源;第一下拉电源;第二下拉电源,其低于第一下拉电源;交叉结电路系统,其包含:第一输入节点;第一输出节点;第一上拉晶体管,其耦合于第一上拉电源与第一输出节点之间,第一上拉晶体管的栅极耦合到第一输入节点;以及第一下拉晶体管,其耦合于第一下拉电源与第一输出节点之间,第一下拉晶体管的栅极耦合到第一输入节点;电平移位电路系统,其包含:第二输出节点;第二下拉晶体管,其耦合于第二下拉电源与第二输出节点之间,第二下拉晶体管的栅极耦合到第一输入节点;以及输出装置电路系统,其包含:第三输出节点;第二上拉晶体管,其耦合于第二上拉电源与第三输出节点之间,第二上拉晶体管的栅极耦合到第二输出节点;以及第三下拉晶体管,其耦合于第二下拉电源与第三输出节点之间,第三下拉晶体管的栅极至少部分地耦合到第二输出节点。
附图说明
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