[发明专利]一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110599219.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113363381B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王琦;鲜林燕;王正;贺德衍 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饶小平 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻变层 材料 有机 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种阻变层材料，其特征在于，包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。
2.根据权利要求1所述的阻变层材料，其特征在于，还包括溶剂。
3.根据权利要求2所述的阻变层材料，其特征在于，所述溶剂包括：乙醇、N，N-二甲基甲酰胺中的至少一种；所述聚乙烯亚胺的分子量为10000。
4.根据权利要求2或3所述的阻变层材料，其特征在于，所述聚乙烯亚胺与溶剂配制成浓度为8～10mg/mL的聚乙烯亚胺溶液；所述聚乙烯亚胺溶液与所述氮化硼量子点的体积比为30～50∶1。
5.权利要求1～4任一项所述的阻变层材料的制备方法，其特征在于，包括：
将聚乙烯亚胺配制成聚乙烯亚胺溶液；
向所述聚乙烯亚胺溶液中掺杂氮化硼量子点，得到所述阻变层材料。
6.一种有机忆阻器，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的阻变层材料形成的阻变层。
7.根据权利要求6所述的有机忆阻器，其特征在于，包括：第一电极、所述阻变层和第二电极。
8.根据权利要求7所述的有机忆阻器，其特征在于，所述第一电极包括Pt电极，所述第二电极包括Ag电极，所述第一电极的厚度为20～30nm，所述阻变层的厚度为200～500nm，所述第二电极的厚度为20～30nm。
9.权利要求7或8所述的有机忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成所述第一电极；
在所述第一电极上形成所述阻变层；
在所述阻变层上形成所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的有机忆阻器的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发工艺形成所述第一电极和第二电极，采用旋涂工艺形成所述阻变层。
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