[发明专利]一种基于忆阻的操作性条件反射电路

权利要求书

1.一种基于忆阻的操作性条件反射电路，其特征在于，包括输入模块、电压控制模块、促进模块I、促进模块II、抑制模块I、抑制模块II、突触神经元模块I、突触神经元模块II和突触神经元模块III；输入模块分别与脉冲电源信号、促进模块I、促进模块II、抑制模块I、抑制模块II、突触神经元模块I和突触神经元模块II相连接，突触神经元模块II分别与促进模块I、促进模块II、抑制模块I和抑制模块II相连接，突触神经元模块I分别与促进模块II和抑制模块II相连接；所述脉冲电源信号分别与电压控制模块和抑制模块I相连接，电压控制模块与突触神经元模块III相连接。

2.根据权利要求1所述的基于忆阻的操作性条件反射电路，其特征在于，所述输入模块包括第一压控单元、第二压控单元和加法运算单元；突触神经元模块I包括电压模块I和突触模块I；突触神经元模块II包括电压模块II和突触模块II；抑制模块I包括抑制信号判断模块I、抑制信号接收处理模块I和抑制信号恢复模块I；抑制模块Ⅱ包括抑制信号判断模块II和抑制信号接收处理模块II；促进模块I包括促进信号判断模块I、促进信号接收处理模块I和促进信号恢复模块I；促进模块Ⅱ包括促进信号判断模块II和促进信号接收处理模块II；电压控制模块包括电压判断模块和电压接收处理模块；

所述第一压控单元的输入端与非门D₁的输出端相连接，非门D₁的输入端与脉冲电源信号相连接，脉冲电源信号分别与第二压控单元的输入端、抑制信号判断模块I和电压判断模块相连接，电压判断模块与电压接收处理模块相连接，电压接收处理模块与突触神经元模块III相连接；第一压控单元的输出端、第二压控单元的输出端分别与加法运算单元的输入端相连接；加法运算单元的输出端分别与促进信号接收处理模块I、促进信号接收处理模块II、抑制信号接收处理模块I、抑制信号接收处理模块II、电压模块I和电压模块II相连接，电压模块I与突触模块I相连接，突触模块I分别与促进信号判断模块II、抑制信号判断模块II相连接，电压模块II与突触模块II相连接，突触模块II分别与抑制信号判断模块I、抑制信号接收处理模块II、促进信号判断模块I、促进信号接收处模块II相连接；促进信号判断模块I分别与非门D₁的输出端、促进信号接收处理模块I、促进信号恢复模块I相连接，促进信号判断模块II与促进信号接收处理模块II相连接；抑制信号判断模块I分别与脉冲电源信号、抑制信号接收处理模块I、抑制信号恢复模块I相连接；抑制信号判断模块II与抑制信号接收处理模块II相连接。