[发明专利]光阻去除方法在审
| 申请号： | 202110600536.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394081A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 高平义 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光阻去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，按设计工艺形成光阻,并对光阻进行刻蚀；
S2，使用弱碱性清洗液对光阻进行预定时间的清洗去除；
S3，执行后续设计工艺步骤。
2.如权利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于：所述弱碱性清洗液是氨水。
3.如权利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：实施步骤S2时，氨水浓度为10％-20％。
4.如权利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：实施步骤S2时，清洗时间范围为30秒-60秒。
5.如权利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于：实施步骤S2时，氨水浓流量为1000ml/min-2000ml/min。
6.如权利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于：实施步骤S2时，清洗温度范围为40摄氏度-70摄氏度。
7.如权利要求1-6任意一项所述的光阻去除方法，其特征在于：其能用于32nm、28nm、22nm、20nm以及小于16nm工艺的光阻清洗。
8.如权利要求1-6任意一项所述的光阻去除方法，其特征在于：其能用于逻辑器件或存储器件的光阻清洗去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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