[发明专利]一种开关电路的限流电路及开关电路

说明书

本发明提出一种开关电路的限流电路及开关电路，所述开关电路采用氮化镓功率管作为主功率管，所述限流电路第一端连接所述氮化镓功率管的漏极，所述限流电路第二端连接开关电路的控制器，所述限流电路用以限制电流从所述控制器的供电端电流。本发明抑制了流经控制器的负向电流。

技术领域

本发明涉及电力电子领域，特别涉及一种开关电路的限流电路及开关电路。

背景技术

开关电路的PWM控制芯片实现高压启动，一般有两种高压取电方式，一种是从交流输入端经过全波整流电路给芯片控制器的高压pin脚供电，一种是从直流母线电容取电。如果控制芯片是集成MOSFET功率管，如图1所示，本身芯片Pin脚有一个DrainPin脚,为了省去一个高压pin脚，高压启动取电通常从DrainPin脚取电。

集成MOSFET功率管的芯片可从Drainpin脚取电，但是如果集成氮化镓功率管的芯片，若还是直接从Drainpin脚取电，会有以下问题：氮化镓功率管的器件特性和MOSFET功率管的器件特性有一个重要的差异:MOSFET功率管的漏源两端有集成一个反并联二极管，而氮化镓功率管无此二极管，氮化镓功率管走反向电流时的压降比MOSFET功率管的大很多，从而在芯片漏端会有一个比较大的负压，影响芯片的正常工作甚至损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种限制负向电流流经开关电路控制器的限流电路及开关电路，解决了现有技术中由于采用氮化镓功率管而出现的负向电流流经开关电路控制器，容易造成控制器损坏的问题。

基于上述目的，本发明提供了一种开关电路的限流电路，所述开关电路包括主功率管和控制器，所述控制器的供电端与所述主功率管的漏极连接，所述限流电路第一端连接所述主功率管的漏极，所述限流电路第二端连接开关电路的控制器的供电端。

可选的，采用氮化镓功率管作为主功率管。

可选的，所述限流电路包括一个二极管，所述二极管的正极连接所述功率管的漏极，所述二极管的负极连接所述控制器的供电端。

可选的，所述限流电路包括一个稳压管，所述稳压管的正极连接所述主功率管的漏极，所述二极管的负极连接所述控制器的供电端。

可选的，所述稳压管的击穿电压大于当有负向电流流经所述主功率管时所述主功率管的漏源电压差的绝对值。

可选的，所述限流电路包括一个主二极管和多个辅二极管，所述主二极管的正极连接所述功率管的漏极，所述主二极管的负极连接所述控制器的供电端；

所述的多个辅二极管串联后和所述主二极管反向并联。

可选的，根据所述主功率管的源漏电压选择辅二极管的个数。

可选的，多个辅二极管串联的总压降大于当有负向电流流经所述主功率管时所述主功率管的漏源电压差的绝对值。

可选的，所述限流电路包括第一电阻，所述第一电阻第一端连接所述主功率管漏极，所述第一电阻第二端连接所述控制器的供电端。

本发明还提供一种开关电路，包括主功率管和控制器，所述控制器的供电端与所述主功率管的漏极连接，包括以上任意一种所述的限流电路。

可选的，所述主功率管为氮化镓主功率管。

可选的，所述主功率管设为包括所述氮化镓主功率管和所述氮化镓主功率管驱动器的集成功率芯片。

可选的，所述控制器的供电端与所述主功率管的漏极连接的公共连接点连接至所述开关电路的功率回路节点。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过在Drainpin和高压控制器间连接一个限流电路，限制了流向控制器的负向电压或负向电流，使得控制器免受大的负向电压或负向电流,从而避免由此引起的控制器工作异常的问题。

附图说明