[发明专利]一种高侧NMOS功率管预充电电路

权利要求书

1.一种高侧NMOS功率管预充电电路，包括高侧NMOS功率管，其特征在于，所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路；

所述预充电电路包括PM0、PM1、PM2、NM0和反相器IV，由信号CHG来控制预充电电路；其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起，使PM0和PM1同时导通；PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止，切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路；

当CHG=VCC-5V时，反相器IV的输出为VCC，此时NM0导通将PM0与PM1的栅极短接到一起，电压为VCC-5V，PM0及PM1同时导通，对HS的栅极进行预充电；

当CHG电压为VCC时，反相器IV的输出为VCC-5V，此时NM0截止将PM1的栅极与PM0的栅极断开；当高侧NMOS功率管的栅极电压不超过VCC时，PM0不导通，高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间呈现断路的状态；当电荷泵开始工作后，高侧NMOS功率管的栅极电压开始超过VCC；在PM0的作用下高侧NMOS功率管的栅极电压使得PM0的源极电压趋于升高；由于PMOS管PM2的栅极连接于VCC，当PM2的源极电压趋于超过VCC时，PM2导通将PM1的栅极与源极短接，使得PM1关断，防止高侧NMOS功率管的栅极连接到VCC。