[发明专利]生长铝镓氮的方法在审
| 申请号： | 202110601721.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113345797A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;杨静;王柏斌;梁锋;陈平;刘宗顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/04;C23C16/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 铝镓氮 方法 | ||
1.一种生长铝镓氮的方法，其特征在于，包括：
在衬底上生长成核层；
在生长所述成核层后的衬底上生长铝镓氮；
其中，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述成核层在所述图形化蓝宝石衬底的窗口区域进行三维生长，所述成核层未覆盖所述衬底的非窗口区域，所述铝镓氮在所述图形化蓝宝石衬底的非窗口区域以及所述成核层区域进行生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核层和所述铝镓氮均采用有有机金属化合物气相外延法进行生长。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在衬底上生长成核层包括：将衬底放置在反应室内，温度控制在450～600℃生长所述成核层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述成核层的生长厚度范围为0.1～0.4μm。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在生长所述成核层后的衬底上生长铝镓氮：将生长后所述成核层的衬底放置在反应室内，温度控制在1000～1100℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在生长所述成核层后的衬底上生长铝镓氮：将生长后所述成核层的衬底放置在反应室内，反应室内压力范围为30–100Torr。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述铝镓氮的生长厚度大于1μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成核层包括以下任一：GaN、AlGaN或AlN。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上生长成核层之前还包括：对所述衬底表面进行清理，将所述衬底放置在反应室中，温度控制在1050℃，通入H2对衬底表面进行清洁处理。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过采用干法刻蚀以及光刻工艺制备获得所述图形化蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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