[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110601772.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115207077A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光;杨弘堃 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
基板；
成核层，设置在所述基板上；
缓冲层，设置在所述成核层上；
信道层，设置在所述缓冲层上；
阻挡层，设置在所述信道层上；
栅极，设置在所述阻挡层上；
源极，设置在所述栅极的第一侧的所述阻挡层上；
漏极，设置在所述栅极的第二侧的所述阻挡层上，所述栅极的所述第二侧是相对于所述栅极的所述第一侧；以及
多数个第一p型氮化镓岛，分别设置在所述漏极的第一侧与所述栅极的所述第二侧之间，其中所述多数个第一p型氮化镓岛电位是浮动的。
2.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，各个所述第一p型氮化镓岛与所述栅极的间距大于各个所述第一p型氮化镓岛与所述漏极的间距。
3.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述漏极具有一延伸方向，且所述多数个第一p型氮化镓岛沿所述延伸方向排列。
4.根据权利要求3所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，沿所述延伸方向排列的同一行的所述第一p型氮化镓岛之间的间距是相同的。
5.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括多数个第二p型氮化镓岛，分别设置在所述漏极的第二侧的所述阻挡层上，所述漏极的所述第二侧是相对于所述漏极的所述第一侧，且所述多数个第二p型氮化镓岛电位是浮动的。
6.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极包括栅极金属层与介于所述阻挡层与所述栅极金属层之间的p型氮化镓层。
7.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
基板；
成核层，设置在所述基板上；
缓冲层，设置在所述成核层上；
信道层，设置在所述缓冲层上；
阻挡层，设置在所述信道层上；
栅极，设置在所述阻挡层上；
源极，设置在所述栅极的第一侧的所述阻挡层上；
至少一第一p型氮化镓岛，设置在所述栅极的第二侧的所述阻挡层上，其中所述栅极的所述第二侧是相对于所述栅极的所述第一侧；
漏极，设置在所述栅极的所述第二侧的所述阻挡层上并覆盖所述至少一第一p型氮化镓岛；以及
介电层，介于所述漏极与所述至少一第一p型氮化镓岛之间，以使所述至少一第一p型氮化镓岛电位是浮动的。
8.根据权利要求7所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一第一p型氮化镓岛为多数个第一p型氮化镓岛，且所述多数个第一p型氮化镓岛沿所述漏极的延伸方向排列。
9.根据权利要求7所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述介电层延伸设置在所述漏极与所述阻挡层之间，且所述介电层具有多数个接触窗开口，以使所述漏极通过所述多数个接触窗开口与所述阻挡层接触。
10.根据权利要求7所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述介电层延伸设置在所述漏极与所述阻挡层之间，且所述介电层具有多数个接触窗开口，以使所述漏极通过所述多数个接触窗开口与所述阻挡层接触。
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