[发明专利]屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法有效
申请号: | 202110602006.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113345927B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 徐磊;查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;G02F1/133;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像头 显示 面板 透明 区域 制备 方法 | ||
1.一种屏下摄像头显示面板,其特征在于,包括衬底以及显示区域,所述衬底与所述显示区域对应,所述显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域和与所述透明显示区域临近的液晶区域;
所述透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素;所述液晶区域包括液晶像素;
所述液晶像素包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层;所述彩膜基板包括色阻层,所述色阻层位于所述衬底的背侧;
所述Micro LED像素包括设于所述衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于所述Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片,所述Micro LED芯片的引脚位于所述MicroLED芯片的非出光面上,且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接;
所述Micro LED像素还包括位于所述Micro LED驱动电路层与所述Micro LED芯片之间的钝化层、用于放置所述Micro LED芯片的平坦化层、以及位于所述Micro LED芯片背侧的封装层;
其中,在所述屏下摄像头显示面板厚度方向上,所述Micro LED驱动电路层、所述钝化层、所述Micro LED芯片、所述平坦化层和所述封装层构成复合膜层,所述复合膜层与所述色阻层齐平。
2.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板,其特征在于,所述液晶像素的出光面与所述Micro LED像素的出光面平齐;
所述阵列基板包括基底和位于所述基底之上的液晶驱动电路层;所述液晶层、所述基底向所述透明显示区域延伸,使所述液晶层、所述基底分布在所述显示区域。
3.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板,其特征在于,所述Micro LED芯片出光侧与所述钝化层之间设置有高透明粘结层,所述高透明粘结层的材料为光学透明胶或有机硅胶。
4.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板,其特征在于,所述引脚包括位于所述出光面相反一侧两端的阳极绑定端和阴极绑定端,所述金属走线图案包括第一金属走线图案和第二金属走线图案,所述Micro LED驱动电路层设置有正电位输出端和负电位输出端;
所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案的一端分别与所述阳极绑定端和阴极绑定端电性连接,另一端分别与所述正电位输出端和所述负电位输出端电性连接。
5.根据权利要求4所述的屏下摄像头显示面板,其特征在于,所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案均为L型、U型、Z型或S型中一种或一种以上形状。
6.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板,其特征在于,所述屏下摄像头显示面板的背部设置有摄像头,所述摄像头与所述Micro LED像素对位设置。
7.一种如权利要求1至6任一所述的屏下摄像头显示面板的透明显示区域的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S10,提供一衬底,在所述衬底下方制备Micro LED驱动电路层;
步骤S20,在所述Micro LED驱动电路层下方阵列设置Micro LED芯片,其中,所述MicroLED芯片的引脚设于所述Micro LED芯片的非出光面上,且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110602006.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的