[发明专利]一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法

权利要求书

1.一种单斜相Ga₂S₃单晶的制备方法，其特征在于：采用真空密闭助熔剂坩埚下降法；

包括以下步骤：

1）将Ga₂S₃多晶原料与Sb₂S₃混合并研磨均匀，然后真空密封；

2）将真空密封后的物料先高温加热熔融，再降温，得到所述单斜相Ga₂S₃单晶；

步骤1）中Ga₂S₃多晶原料与Sb₂S₃的摩尔比为1：0.8~1.2，真空度为10^-4Pa。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中Ga₂S₃多晶原料与Sb₂S₃的摩尔比为1：1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2）的具体步骤为：将真空密封后的物料放置在具有高温区和低温区的生长装置中的高温区内，升温使生长装置内的高温区和低温区均达到预设温度，保温熔融，得到熔液；在生长装置内寻找结晶点位置，通过下降的方式使熔液均匀地通过结晶点位置；对高温区和低温区进行降温，得到所述单斜相Ga₂S₃单晶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：高温区的预设温度为800~1000℃，低温区的预设温度为450~650℃，生长装置内的温度梯度为20~30℃/cm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：高温区的预设温度为900℃，低温区的预设温度为600℃，生长装置内的温度梯度为25℃/cm。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：熔液先下降至结晶点位置以上1~3cm处，之后以0.1~0.2mm/h的下降速度均匀地通过结晶点位置，然后静置。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：高温区和低温区均以15~25℃/h的速率降至室温。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：高温区和低温区均以20℃/h的速率降至室温。