[发明专利]保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器

权利要求书

1.保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述传感器(14)包括输入端封装底座(3)、输入保偏光纤准直器(4)、电光晶体(5)、封装外壳(6)、输出保偏光纤准直器(7)、输出端封装底座(8)；所述输入保偏光纤准直器(4)和所述电光晶体(5)均固定在所述输入端封装底座(3)内，所述输入保偏光纤准直器(4)的输出端面和所述输出保偏光纤准直器(7)的输入端面均与所述电光晶体(5)的通光面平行设置；所述输出保偏光纤准直器(7)固定在所述输出端封装底座(8)内，所述电光晶体(5)位于所述输入保偏光纤准直器(4)与所述输出保偏光纤准直器(7)之间，所述输出保偏光纤准直器(7)与所述输入保偏光纤准直器(4)同轴设置；所述输入端封装底座(3)和所述输出端封装底座(8)均固定在所述封装外壳(6)上；所述输入端封装底座(3)上和所述输出端封装底座(8)上均固定有保偏光纤(1)，所述保偏光纤(1)分别与所述输入保偏光纤准直器(4)的输入端面和所述输出保偏光纤准直器(7)的输出端面耦合；与所述输入端封装底座(3)连接的所述保偏光纤(1)上设置有输入端保偏光纤固定点(2)，所述保偏光纤(1)在所述输入端保偏光纤固定点(2)处与所述输入端封装底座(3)固定，所述输入保偏光纤准直器(4)与所述输入端保偏光纤固定点(2)之间的所述保偏光纤(1)扭转π/2角度。

2.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，还包括可调谐保偏光源(9)、保偏光纤检偏器(10)、光电探测器(11)和示波器(13)；所述可调谐保偏光源(9)、所述传感器(14)、所述保偏光纤检偏器(10)和所述光电探测器(11)依次通过所述保偏光纤(1)连接，所述光电探测器(11)通过示波器探头线(12)与所述示波器(13)电性连接。

3.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述输入端保偏光纤固定点(2)与所述输入保偏光纤准直器(4)输入端面的距离为1-2mm。

4.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述保偏光纤(1)为熊猫型保偏光纤，所述保偏光纤(1)的拍长为2-4mm。

5.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述输入端封装底座(3)采用ABS塑料材料，所述输入端封装底座(3)为长方体结构，所述输入端封装底座(3)内部开设有与所述输入保偏光纤准直器(4)、所述电光晶体(5)相适配的凹槽，所述输入端封装底座(3)的外部尺寸为长54-65mm，宽8-12mm，高9-13mm。

6.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述输入保偏光纤准直器(4)为圆柱型玻璃准直器，所述输入保偏光纤准直器(4)的输出端面为平面；所述输入保偏光纤准直器(4)的长度为8-15mm，直径为2-3mm。

7.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述电光晶体(5)为光学级别的铌酸锂晶体，所述铌酸锂晶体为长方体结构，所述铌酸锂晶体的长为42.2-62mm，宽为4-6mm，高为4-6mm。

8.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述封装外壳(6)采用ABS塑料材料，所述封装外壳(6)为长方体结构，所述封装外壳(6)的外部尺寸为长78-88mm，宽9-12mm，高8-10mm。

9.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述输出保偏光纤准直器(7)与所述输入保偏光纤准直器(4)参数一致，所述输出保偏光纤准直器(7)与所述输入保偏光纤准直器(4)的耦合距离为47-67mm。

10.根据权利要求1所述的保偏光纤耦合型电光晶体电场传感器，其特征在于，所述输出端封装底座(8)采用PLA塑料材料，所述输出端封装底座(8)为长方体结构，所述输出端封装底座(8)内部开设有与所述输出保偏光纤准直器(7)相适配的凹槽，所述输出端封装底座(8)的外部尺寸为长9-13mm，宽8-11mm，高9-12mm。