[发明专利]基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法

权利要求书

1.一种基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，其包括依序层叠设置的衬底、第一反射镜、第一n型层、有源区、p型层、电流限制层、第二反射镜和p电极；

其中，第一n型层上还设置由n电极；

另外，所述第二反射镜由导电性氧化物DBR构成。

2.如权利要求1所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p型层和电流限制层之间还设有第二n型层，第二n型层与p型层之间还设有隧道结。

3.如权利要求1或2所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射镜由氮化物DBR或导电性氧化物DBR构成；所述第二反射镜由p型导电性氧化物DBR构成或由n型导电性氧化物DBR构成。

4.如权利要求3所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二反射镜为p型导电性氧化物DBR构成时，其由p型导电性的氧化镍、氧化铜或氧化亚铜中的任意两种交叉排布构成；

所述第二反射镜为n型导电性氧化物DBR构成时，其由n型导电性的氧化镓、氧化锌或氧化镉中的任意两种交叉排布构成。

5.如权利要求1或2所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一n型层接近有源区的端部形成内缩台阶，所述n电极设置在该内缩台阶上。

6.如权利要求1或2所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电流限制层为SiO₂、AlN或Al₂O₃制成；

所述n电极和所述p电极为Cr、Ni、Pt、Ti、Au一种以上层叠制成。

7.如权利要求1或2所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1、在原始衬底上生长第一反射镜以及PiN结构的半导体外延层，其中，半导体外延层包括依序层叠的第一n型层、有源区和p型层或包括依序层叠的第一n型层、有源区、p型层、隧道结和第二n型层；

S2、对半导体外延层进行刻蚀至n型层，以预留出区域制备n电极；

S3、在第一n型层上预留的区域制备n电极；

S4、对半导体外延层表面进行刻蚀出预设区域以用于沉积电流限制层；

S5、在半导体外延层表面刻蚀形成的预设区域上进行电流限制层沉积；

S6、在沉积有电流限制层的半导体外延层上层叠制备第二反射镜；

S7、在第二反射镜上制备p电极，完成激光器的制备。

8.如权利要求7所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤S01中，采用MOCVD或者MBE方式生长第一反射镜和PiN结构的半导体外延层。

9.基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，其包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、第一n型层、隧道结、P型层、有源区、第二n型层、第二反射镜和n电极；

其中，所述第一反射镜由导电性氧化物DBR构成；所述第二反射镜由n型导电性氧化物DBR构成。

10.如权利要求9所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1、在原始衬底上生长PiN结构的半导体外延层，该半导体外延层包括依序层叠的第二n型层、有源区、p型层、隧道结和第一n型层；

S2、对半导体外延层表面进行刻蚀出预设区域以用于沉积电流限制层；

S3、在刻蚀形成的预设区域上进行沉积电流限制层；

S4、在沉积有电流限制层的半导体外延层上层叠制备第一反射镜；

S5、在第一反射镜上层叠制备兼做第一电极的支撑基板，同时使其覆盖第一反射镜远离半导体外延层的表面，获得第一坯体；

S6、将第一坯体倒置，去除原始衬底；

S7、在第一坯体上依序层叠制备第二反射镜和第二电极，完成激光器的制备。