[发明专利]一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110604598.5 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN113299436A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 陈桂林;李虎;毛瑜;曾维刚;胡肖洋;钱朝炜;胡毅华 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 mxene ito 复合 透明 导电 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一:将MXene分散于溶剂中获得MXene溶液,然后通过溶液沉积法将MXene溶液涂敷于洗干净的衬底;

步骤二:在沉积有MXene薄层的衬底上,通过磁控溅射法沉积ITO透明导电层,最终形成MXene/ITO复合透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的MXene溶液是将0.01~0.1g的MXene分散于10-100ml溶剂中,随后进行超声分散得到MXene溶液。

3.根据权利要求1所述的一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的MXene为Ti3C2Tx、Nb2CTx、V2CTx中一种,Tx为F、O、OH基团中的一种或多种,其功函数可通过选择不同的F、O、OH基团进行可控调节。

4.根据权利要求1所述的一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤一所述的溶剂为乙醇、甲醇、二甲基亚砜、水中的一种,或者其中任意几种的组合。

5.根据权利要求1所述的一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤一所述的沉积法为喷涂法、旋涂法或滴注法,衬底为钠钙玻璃或石英玻璃,沉积温度为60~150℃。

6.根据权利要求1所述的一种MXene/ITO复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二所述的磁控溅射法的溅射功率为50-250W,溅射时间为1~30 min。

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