[发明专利]一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料及其制备方法有效
申请号: | 202110605055.5 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113306059B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 李怡俊;张桐瑞;吴振华;胡旻;钟任斌;刘頔威;周俊;刘盛纲 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | B29C43/02 | 分类号: | B29C43/02;B29B7/00;B29B13/10;B29C43/58;C08L23/06;C08L91/06;C08K3/08;C08J5/18;B22F1/054;B29K23/00;B29K505/10 |
代理公司: | 成都华复知识产权代理有限公司 51298 | 代理人: | 麦迈 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 梯度 调制 幅度 赫兹 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法,其特征在于按重量份数计包括以下步骤:
(1)备料均粒径为50~500μm的高导电性金属微纳粉体;
(2)将100份高导电性金属微纳粉体和5~50份的低粘度聚合物粉体混合密炼处理,密炼得金属/低粘度聚合物复合材料;其中,密炼处理的工艺参数为:密炼时间3~10分钟,转速10~40转/分,密炼温度90~150℃;
其中,所述低粘度聚合物选择在140℃环境条件下粘度为10~500CPS的聚合物;
(3)将步骤(2)所得金属/低粘度聚合物复合材料经粉碎处理得到均粒径不低于高导电性金属微纳粉体均粒径,且均粒径不高于600μm的金属/低粘度聚合物复合粉体;
(4)将步骤(3)所得金属/低粘度聚合物复合粉体与可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体以质量比为1:(0.5~3)的比例充分混合均匀,加入至模具中,模具于相较水平面倾斜角度为0.5°~10°的放置条件下热固化成型,且成型的倾斜长度不低于20mm,厚度不高于1cm,即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料;
所述热固化成型为平板硫化压板法,且平板硫化压板法的工艺参数为:热压温度140~180℃,热压压力7~20MPa,热压时间4~15分钟,冷压压力7~20MPa,冷压时间5~20分钟;
其中,所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体选择在140℃环境条件下粘度为500~1000CPS的聚合物。
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述高导电性金属包括金、银、铜、镍、钛和铁其中任意一种或是上述金属任意一种合金。
3.根据权利要求2所述制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述高导电性金属选择为铜时,将市售的铜金属箔先预粉碎处理为不大于2cm×2cm的单片铜金属箔,然后通过高速粉碎机粉碎处理得到高导电性金属微纳粉体,其中,高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为:温度5~25℃,转速200~350转/分,循环碾磨3~7次。
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体为聚乙烯蜡粉体或固态石蜡粉体。
5.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体的添加量为10~30份。
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于:步骤(3)中所述粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理,其中,高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为:温度5~30℃,转速200~400转/分,循环碾磨1~9次。
7.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于:步骤(4)中所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体选择包括LDPE超细粉体、HDPE超细粉体、PVDF超细粉体其中任意一种。
8.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于按重量份数计其制备方法如下:
(1)备料均粒径为50~500μm的铜微纳粉体;
(2)将100份铜微纳粉体和15~30份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理,密炼得铜/聚乙烯蜡复合材料;其中,密炼处理的工艺参数为:密炼时间3~7分钟,转速15~35转/分,密炼温度110~140℃;
(3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复合粉体;其中,粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理,高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为:温度10~25℃,转速250转/分,循环碾磨3~7次;
(4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1:(1~2)的比例充分混合均匀,加入至模具中,模具于相较水平面倾斜角度为3°的放置条件下平板硫化压板法成型,且成型的倾斜长度不低于10cm,厚度不高于1cm,即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料;其中,平板硫化压板法的工艺参数为:热压温度150~180℃,热压压力7~15MPa,热压时间4分钟,冷压压力7~15MPa,冷压时间5~20分钟。
9.根据权利要求1~8任一项所述制备方法所制备得到的太赫兹调制材料。
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