[发明专利]半导体封装方法在审
申请号: | 202110605091.1 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN115483119A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 | ||
1.一种半导体封装方法,其特征在于,其包括:
提供预制金属框架;所述预制金属框架包括支撑结构及设于支撑结构一侧的至少一组导电结构,所述导电结构包括导电贯穿柱及与所述导电贯穿柱电连接的第一导电迹线层;
将至少一组裸片贴设于载板;其中,所述裸片的正面设有焊垫,且所述裸片的正面朝向所述载板;
将所述预制金属框架设于所述载板上;其中,所述导电结构与所述裸片一一对应设置,且所述第一导电迹线层位于所述裸片背面所在的一侧,所述导电贯穿柱位于所述裸片的侧方;
在所述预制金属框架与所述载板之间形成包封层;
去除所述支撑结构并在所述第一导电迹线层远离所述裸片的一侧设置与所述裸片对应的布线基板,所述布线基板具有布线电路,所述布线电路与对应的第一导电迹线层电连接。
2.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述方法包括:
提供金属件;
采用刻蚀的方式形成所述预制金属框架。
3.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述方法包括:
提供支撑结构;
在所述支撑结构的一侧形成至少一组所述导电结构,形成所述预制金属框架。
4.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述预制金属框架与所述载板之间形成包封层之后,所述方法包括:
剥离所述载板;
在所述裸片正面所在的一侧形成再布线结构,所述再布线结构连接所述焊垫和所述导电贯穿柱;所述再布线结构包括第二导电迹线层及位于所述第二导电迹线层远离所述裸片一侧的导电凸柱。
5.如权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,所述将至少一组裸片贴设于所述载板之前,所述方法包括:
在裸片的正面形成保护层。
6.如权利要求5所述的半导体封装方法,其特征在于,在将至少一组裸片贴设于所述载板之前或在剥离所述载板之后,所述方法包括:
在所述保护层上形成保护层开口,所述保护层开口位于所述裸片的焊垫处。
7.如权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述裸片正面所在的一侧形成再布线结构之前,所述方法包括:
在所述保护层开口形成保护层导电柱;所述再布线结构通过所述保护层导电柱与所述焊垫电连接。
8.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述第一导电迹线层远离所述裸片的一侧设置与所述裸片对应的布线基板之前,所述方法包括:
形成具有预设的布线电路的布线基板。
9.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在去除所述支撑结构之后设置布线基板之前,所述方法包括:
在所述第一导电迹线层远离所述裸片的一侧形成介电层;
在所述介电层的预设位置形成介电层开口,以暴露部分所述第一导电迹线层;
在所述第一导电迹线层远离所述裸片的一侧设置与裸片对应的布线基板包括:
在所述介电层远离所述裸片的一侧设置与所述裸片对应的布线基板,所述布线基板与对应的第一导电迹线层电连接。
10.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述第一导电迹线层远离所述裸片的一侧设置与所述裸片对应的布线基板之后,所述方法包括:
在所述布线基板远离所述裸片的一侧设置与所述布线基板对应的电气元件,所述电气元件与对应的布线基板电连接。
11.如权利要求10所述的半导体封装方法,其特征在于,所述预制金属框架包括至少两组导电结构,所述载板上设置有至少两组裸片时,在所述布线基板远离所述裸片的一侧设置电气元件之后形成包括至少两组导电结构、至少两组裸片及对应的至少两组布线基板及至少两组电气元件的半导体封装组件;
对所述半导体封装组件进行切分,形成至少两个半导体封装结构,至少两个所述半导体封装结构各包括对应设置的一组导电结构、一组裸片、一组布线基板及一组电气元件。
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