[发明专利]焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法在审
申请号: | 202110605109.8 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN115483179A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊球 倒装 芯片 结构 堆叠 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种焊球,其特征在于,所述焊球的材料为导电聚合物材料。
2.根据权利要求1所述的焊球,其特征在于,所述导电聚合物材料为导电聚苯胺。
3.根据权利要求1所述的焊球,其特征在于,包括导电支撑核,所述导电聚合物材料包覆所述导电支撑核。
4.根据权利要求3所述的焊球,其特征在于,所述导电支撑核的材料包括:铜、银以及金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的焊球,其特征在于,所述导电聚合物材料中分散有纳米导电颗粒。
6.根据权利要求5所述的焊球,其特征在于,所述纳米导电颗粒包括:纳米铜颗粒、纳米金颗粒、纳米银颗粒、碳纳米管以及石墨烯中的至少一种。
7.根据权利要求5或6所述的焊球,其特征在于,所述纳米导电颗粒的添加量的范围为:30wt%~50wt%。
8.一种倒装芯片结构,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的焊球。
9.一种堆叠式封装结构,其特征在于,包括:第一封装体与待连接元件,所述第一封装体包括第一芯片;所述第一封装体的第一芯片与所述待连接元件通过权利要求1至7任一项所述的焊球电连接。
10.根据权利要求9所述的堆叠式封装结构,其特征在于,所述待连接元件为预布线基板,所述预布线基板内设有预布线线路,所述预布线线路包括位于所述预布线基板的表面的电连接点;所述第一芯片的电连接点与所述预布线基板的电连接点通过权利要求1至7任一项所述的焊球电连接。
11.根据权利要求9所述的堆叠式封装结构,其特征在于,所述待连接元件为第二封装体,所述第二封装体包括第二芯片;所述第一芯片的电连接点与所述第二芯片的电连接点通过权利要求1至7任一项所述的焊球电连接。
12.根据权利要求10所述的堆叠式封装结构,其特征在于,所述第一封装体包括:
第一封装体,包括:裸片,所述裸片包括若干焊盘,所述焊盘位于所述裸片的活性面;预制导电柱,位于所述裸片的侧边,所述预制导电柱包括相对的第一端与第二端;预制导电迹线,朝向所述裸片的背面且与所述裸片背面之间具有间距,所述预制导电迹线与预制导电柱电连接;塑封层,包覆所述裸片、所述预制导电柱以及所述预制导电迹线,所述塑封层的背面暴露所述预制导电柱的第一端与所述预制导电迹线,所述塑封层的正面暴露所述裸片的活性面与所述预制导电柱的第二端;
再分布层,位于所述焊盘、所述预制导电柱的第二端以及所述塑封层的正面上,用于电连接所述裸片与所述预制导电柱;所述再分布层包括第一导电迹线与位于所述第一导电迹线上的导电凸块;
第一介电层,包埋所述再分布层,所述导电凸块暴露在所述第一介电层外;以及
第二介电层,位于所述塑封层的背面,所述第二介电层内具有暴露所述预制导电迹线的电连接点的开口;
所述预布线线路包括正面电连接点与背面电连接点;所述正面电连接点与所述预制导电迹线的电连接点通过权利要求1至7任一项所述的焊球焊接在一起;
所述堆叠式封装结构还包括:电气元件,所述电气元件的电连接点与所述预布线基板的背面电连接点通过权利要求1至7任一项所述的焊球焊接在一起。
13.根据权利要求12所述的堆叠式封装结构,其特征在于,所述裸片的活性面覆盖有保护层,所述保护层内设有暴露所述焊盘的开口。
14.根据权利要求12所述的堆叠式封装结构,其特征在于,所述电气元件为无源器件或芯片。
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