[发明专利]一种高精度POR电路有效

专利信息
申请号: 202110606752.2 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113315498B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 李博文;刘明磊;柳雪晶 申请(专利权)人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
主分类号: H03K17/284 分类号: H03K17/284;H03K17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102209 北京市昌平区北七家镇未*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 por 电路
【权利要求书】:

1.一种高精度POR电路,其特征在于包括:使能信号产生电路、检测点产生电路和延时电路,其中:所述使能信号产生电路由VCC预监测模块、逻辑与门、延迟单元3部分构成,所述VCC预监测模块初步监测电压VCC的上电过程,所述VCC预监测模块的输出信号与Band-gap参考电压建立信号共同输入至所述逻辑与门,所述逻辑与门的输出信号经过所述延迟单元后生产一使能信号,所述使能信号提供给所述检测点产生电路中的比较器,控制其工作与否;其中,所述检测点产生电路由VCC电阻分压电路、比较器及逻辑电路3部分构成,所述VCC电阻分压电路根据不同的模式选择信号选择不同的电阻分压接出点连接至其输出端,从而输出不同的检测点电压值;所述VCC电阻分压电路输出端的输出信号与Band-gap参考电压共同输入至所述比较器,通过所述比较器比较后输出一初始复位信号;所述初始复位信号输入到延时电路中;所述延时电路根据模式选择信号产生不同的延迟时间,施加到初始复位信号上,为其增加延迟功能。

2.根据权利要求1所述的一种高精度POR电路,其特征在于,所述的延时电路利用电阻和MOS器件结合构成电阻,给电容充电的方式形成延迟时间,再通过模式选择信号控制在非接触模式下只开启电阻实现精确的短延时,接触模式下开启电阻和MOS器件实现长延时的方式,从而实现接触模式和非接触模式对于延迟时间及精度的不同需求。

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