[发明专利]校准OM和SEM坐标关系的方法和装置、设备和存储介质

说明书

本申请公开了一种校准OM和SEM坐标关系的方法，该校准OM和SEM坐标关系的方法包括读取由同一标准片中选取的同一标记点在工作台上的位置和标记图案，在OM模式下获取OM图像，根据OM标记图案和OM图像得到第一标记点偏移量，在SEM模式下获取SEM图像，SEM图像为控制工作台移动至第二位置处后拍照得到的图像，根据SEM标记图案和SEM图像得到第二标记点偏移量，通过第一标记点偏移量和第二标记点偏移量得到OM和SEM坐标关系。这样针对半导体制造过程中电子束检测与特征尺寸测量之前的校准过程进行了自动化处理，该方法不仅排除了人为因素以及环境因素（温度等）的影响，还提高了检测效率。

技术领域

本公开涉及半导体制造和检测技术领域，尤其涉及一种校准OM和SEM坐标关系的方法和装置、设备和存储介质。

背景技术

近年来，随着物联网以及人工智能等新技术的发展，半导体芯片的需求量与日俱增，芯片制程工艺也越来越精细。日渐精细的生产工艺会降低芯片功率，同样也会限制半导体制造的生产良率。在28nm以下技术节点的半导体制造流程中，通过电子束缺陷检测（EBI）的手段，能够有效提高生产良率。在进行电子束缺陷检测之前，对于EBI设备的校准必不可少，这一步骤会直接影响缺陷检测结果，尤其是对EBI设备的光学显微镜系统（OM）和扫描电子显微镜系统（SEM）坐标关系的校准。一般情况下，EBI设备的OM和SEM坐标关系的校准主要是通过人工来完成，这种方式不仅耗时耗力，而且容易出现人为因素带来的偏差。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种校准OM和SEM坐标关系的方法，包括：

读取由同一标准片中选取的同一标记点在工作台上的位置和标记图案；

其中，所述标记点在所述工作台上的位置包括：OM模式下的第一位置和SEM模式下的第二位置；

所述标记图案包括：OM模式下的OM标记图案和SEM模式下的SEM标记图案；

在OM模式下获取OM图像；其中，所述OM图像为控制所述工作台移动至所述第一位置处后拍照得到的图像；

根据所述OM标记图案和所述OM图像得到第一标记点偏移量；

在SEM模式下获取SEM图像；所述SEM图像为控制所述工作台移动至所述第二位置处后拍照得到的图像；

根据所述SEM标记图案和所述SEM图像得到第二标记点偏移量；

通过所述第一标记点偏移量和所述第二标记点偏移量得到所述OM和SEM坐标关系。

在一种可能的实现方式中，所述标记点为由所述标准片中选取的具有唯一标识性的图案；

所述图案为单个图形和图形阵列中的至少一种。

在一种可能的实现方式中，根据所述OM标记图案和所述OM图像得到第一标记点偏移量包括：

将所述OM标记图案和所述OM图像进行图像匹配得到第一相似度；

根据所述第一相似度得到所述第一标记点偏移量。

在一种可能的实现方式中，根据所述SEM标记图案和所述SEM图像得到第二标记点偏移量包括：

将所述OM标记图案和所述OM图像进行图像匹配得到第二相似度；

根据所述第二相似度得到所述第二标记点偏移量。

在一种可能的实现方式中，通过所述第一标记点偏移量和所述第二标记点偏移量得到所述OM和SEM坐标关系包括：

根据所述第一标记点偏移量的X值、所述OM图像的像素尺寸的X值和所述OM标记图案的位置的X值得到OM横向偏移量；