[发明专利]一种TSV电镀工艺在审
| 申请号： | 202110607718.7 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345836A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;黄雷;郭西;高群;顾毛毛 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D3/38;C25D5/00;C25D5/48;C25D7/12 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 电镀 工艺 | ||
1.一种TSV电镀工艺，其特征在于，包括：
步骤S1，通过博世刻蚀工艺在硅片表面刻蚀TSV孔，TSV孔侧壁会形成周期性阶梯起伏图形；然后通过热氧化工艺在TSV孔内壁和硅片表面形成第一钝化层；
步骤S2，用具有腐蚀作用的酸对硅片进行表面处理，把硅片表面和TSV孔内壁形成的第一钝化层材料去除，同时使硅片表面和TSV孔侧壁变得光滑；
步骤S3，在硅片表面和TSV孔内壁制作第二钝化层，并在第二钝化层上沉积种子层；
步骤S4，在硅片表面电镀铜，使铜金属充满TSV孔；铜CMP工艺去除硅片表面的铜，留下TSV孔中的填铜，形成TSV导电柱。
2.如权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
步骤S1中，所形成的的TSV孔直径范围在1μm～1000μm，深度在10μm～1000μm；第一钝化层厚度范围在10nm～100μm。
3.如权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
步骤S2中，利用氢氟酸对硅片进行表面处理。
4.如权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
步骤S2中，表面处理时的温度为35℃～40℃，氢氟酸浓度为35%～40%。
5.如权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
步骤S3中，通过在硅片表面和TSV孔内壁沉积氧化硅或氮化硅，或者直接热氧化形成第二钝化层。
6.如权利要求5所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
第二钝化层厚度范围在10nm～100μm。
7.如权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征在于，
步骤S4中，铜金属充满TSV孔后，200到500度温度下密化使铜更致密。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
