[发明专利]外延生长方法和设备在审
| 申请号： | 202110607902.1 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113363138A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 曹建平;陈建纲;张健;石海峰 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 方法 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延生长方法，其特征在于在外延生长过程中，从反应气出口侧提供进入冷却腔的冷却气。
2.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于所述的外延生长于N型超重掺砷的衬底之上。
3.如权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于所述的衬底电阻率为0.002-0.003ohm-cm。
4.如权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于所述的衬底背面结构为：先生长二氧化硅膜，然后生长多晶硅，最后再生长二氧化硅膜。
5.一种外延生长设备，其特征在于包括冷却气进口，冷却气进口分布于冷却腔上靠近反应气出口侧的位置上。
6.如权利要求5所述的外延生长设备，其特征在于冷却腔上沿反应气方向设置的槽形进口，所述的槽形进口在反应气进口侧可拆卸设置有挡板，挡板挡于槽形进口靠近反应气进口侧的局部上，从而在槽形进口靠近反应气出口侧的局部上形成冷却气进口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶盟硅材料有限公司，未经上海晶盟硅材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110607902.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
